射频共溅射相关论文
用射频共溅射沉积和脉冲激光退火后处理方法在硅(100)上成功制备了厚约100nm的SiGeC三元半导体合金薄膜.应用傅立叶变换红外光谱(F......
用射频共射复合靶技术和N2气保护下高温退火的后处理方法,在Si衬底上制备出了碳化硅薄膜,通过傅里叶变换红外光谱、室温光致发光谱、电阻......
采用射频共溅射方法制备了NixZn1-xO(x=0.78、0.72、0.68)薄膜。薄膜有非晶相和少量的NiO结晶相的存在。样品都具有明显的室温铁磁性,退......