射频磁控相关论文
本文采用射频磁控溅射制备ITO 和ZnO:Al 透明导电膜,并成功地将ITO/Ag 和ZnO/Al/SS 复合背反射电极应用于pin 和nip 结构的非晶硅薄......
本文采用射频磁控溅射制备TiNiCu形状记忆合金薄膜,分析了Cu含量和溅射工艺参数对薄膜相变温度和显微组织的影响.结果表明,适当提......
用射频磁控溅射制备了Ge-SiO薄膜.在N的保护下对薄膜进行了不同温度的退火处理.使用X射线衍射谱(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)分析......
本文利用射频磁控溅射方法制备了TiNi与TiNiCe合金薄膜。通过扫描电子显微分析(SEM)、原子力显微分析(AFM)、X射线衍射分析(X......
射频磁控反应溅射法制膜性能优良,膜结构致密,可以达到较高的纯度,并且成膜温度低.作者用此法在普通钢、不锈钢、硅片等不同衬底上......
采用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光单晶硅片上制备了InP/SiO2纳米复合薄膜,并在磷气氛保护下对薄膜进行了高温(520℃)退火处......
IntroductionrnIndium tin oxide (ITO) film has been widely used as a transparent conductor due to its high transparency t......
为了改善ACTFEL器件的性能,本文就射频磁控溅射ZnS∶TbOF薄膜结晶性随溅射淀积条件的变化进行了研究,得出最佳选择:射频功率密度1.54W/c......
采用射频磁控溅射法在本征(100)Si片上和CVD金刚石膜上制备了立方(222)择优取向的Y2O3薄膜,应用AFM观察薄膜的三维形貌表明薄膜表面晶粒......