沉积时间相关论文
采用直流磁控溅射技术在聚醚醚酮（PEEK）表面制备不同厚度的类金刚石（DLC）薄膜，研究了沉积时间对其表/界面结构、组分、疏水、力学和光透......
采用电化学辅助沉积技术在汽车用MB15镁合金表面制备了超疏水有机硅烷膜,研究了沉积电位、沉积时间和添加剂对膜层显微形貌、膜厚......
二硫化钼（MoS2）是类石墨烯层状材料,由于具有高载流子迁移率、无悬空键、可调控的宽带隙及摩擦系数低等优点,在电子器件领域具有广泛......
铌、钽等过渡金属碳化物具有高熔点、高硬度、高耐磨性及良好的化学稳定性等优点，被广泛应用在各个领域。NbC和TaC为涂层材料使用不......
近些年来对绿色能源的需求推动了光伏产业的快速发展，而太阳能电池作为光电转化的核心器件受到了广泛的关注。目前硅基电池是商业化......
室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜（Cu2O）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪及拉曼光谱仪......
在光伏领域中,晶体硅(包括单晶硅和多晶硅)太阳电池一直在市场中占有主导地位(约占95%以上),但是由于晶体硅是体材料,在太阳能电池......
采用乙烷气体辉光放电法在单晶Si衬底上制备了名义厚度分别为75,150和250nm的类金刚石碳(DLC)薄膜,除沉积时间外其他工艺参数完全......
以正硅酸乙酯为SiO2绝缘介质前驱体,FeSi5Cr5.5合金球形粉末为基体,研究了流态化气相沉积中FeSi5Cr5.5/SiO2核壳结构的形成时间及......
本文主要研究了表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si表面沉积的Ti薄膜结构的影响.......
依据等离子体物理学中气体放电理论基础,将气体放电引入强辉弱弧区间时,镀料粒子会以“碰撞电离加阴极热电子发射”方式脱离靶面,......
本论文全面介绍了节能镀膜玻璃,特别是低辐射镀膜玻璃的发展概况、节能特性、原理、低辐射膜的种类以及常用的制备方法等,并总结得......
纤锌矿半导体ZnO在近十年吸引了大量的注意,宽禁带(3.37eV),很大的结合能(60meV)等特点使其在光电、铁电、热电、压电、催化、传感......
近年来，铝阳极氧化形成的具有独特结构的多孔氧化铝膜(PAA)正逐渐引起人们的重视。利用阳极氧化铝膜为膜板，在用于研制诸如光学元件......
本文利用热蒸发方法在硅(111)表面上,通过调节加热电流控制铋薄膜的生长速度,改变蒸发时间和观测石英晶振频率,来制备各种厚度的半......
随着信息技术的迅猛发展,光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一。ZnO是一种多功能的半导体材料,激子束缚能高达60meV,是一种......
作为一种直接带隙宽禁带化合物半导体材料，ZnO禁带宽度达到3.37eV，在可见光波段的透过率很高，可高达90%以上，且具有原材料丰富、价格低......
20001201 原位退火时磁控溅射Nd1ea2Cu3O7-δ薄膜的影响——Mori Z．Thin Solid Films，1999，354(1～2)：195(英文)rn NdBa2Cu3O7-δ(NBC......
在普通玻璃基板上利用常压化学气相沉积法在580℃条件下制备得到了氮化钛薄膜。对薄膜的结晶性能、断面形貌、方块电阻以及光学透......
为了研究沉积时间和衬底温度对类金刚石薄膜的影响,在用脉冲激光沉积法在Al2O3衬底上制备类金刚石薄膜的实验中,保持其他实验参数......
采用恒电流电化学制备技术,在高纯金属钼基体上直接制备了白钨矿结构的CaMoO4薄膜.研究发现电化学沉积时间对薄膜的表面形貌、晶格......
自行设计一套筛网反弹盘三维沉积装置，用于电子柬蒸发制备碳化硼微球涂层．采用电子束蒸发法并结合此装置在直径为1mm的玻璃小球表面......
在不同沉积时间和基板温度下，采用反应磁控溅射的方法在~6ABV基板上沉积TiN薄膜，溅射过程中固定溅射总压、溅射功率、氮氩流量比等沉......
在龙滩水电工程的建设中,财务管理以资金管理为核心,实施长中短期贷款相结合的＂组合拳＂,减少资金沉积时间,争取各种优惠政策,取得了......
采用恒电流电化学沉积方法从含钙与磷盐水溶液中直接在纯金属钛电极表面沉积纳米羟基磷灰石涂层,运用EDS、SEM、XRD、FTIR等方法对......
采用超声搅拌化学浴法（UCBD）在SnO2：F 透明导电玻璃衬底上制备了CdS薄膜.研究了退火和CdCl2处理对UCBD-CdS薄膜的表面形貌、晶体结构......
以硅氧烷为改性剂,采用化学液相沉积法制备了系列改性 HZSM-5催化剂,用X射线衍射(XRD)、低温N2物理吸附及程序升温氨脱附(NH3-TPD)......
摘要：以高熵合金（AlCrNbSiTiV）为靶材，Ar为工作气体，N2为反应气体，利用反应式直流磁控溅镀在硅晶片和车削刀具上制备高熵合氮化薄膜，探讨......
采用多弧离子镀膜法，在YTl5及YG8硬质合金基体上沉积ZrTiN硬质涂层，并分析涂层微观形貌、物相组成、涂层的厚度、硬度及结合力等性能......
利用分子自组装技术在羟基化后的单晶硅硅片表面制备（3一巯基丙基）三甲氧基硅烷（MPTS）自组装膜，用x射线光电子能谱仪（XPS）对薄膜的表面结......
Submicro α-Fe2O3 coatings were formed using electrophoretic deposition(EPD) technique in aqueous media. The zeta potent......
合成的毡原文如此由两个增强了 nano 纤维(SiC-NFs ) 和碳纤维与不同免职时间作为 catalyzers 用 Ni 小粒在 1 273 K 被准备。SiC-......
通过对某上游法高堆尾矿坝16年前后尾砂物理力学性质的比对分析,初步揭示了尾砂物理力学指标随着时间的推移而出现的差异性变化：浅......
采用脉冲激光沉积技术（PLD）在氧气气氛中以高纯Zn为（99．999％）靶材，在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓......
以玻璃纤维布为载体用液相沉积法制备了TiO2光催化薄膜，进行了净化含有H2S的气体的对比实验。讨论了不同沉积时间和反应沉积液配比......
采用磁控反应溅射方法,在Si(100)衬底上沉积c-BN薄膜.研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响.结果表明.随溅射气压的升高或沉......
通过底泥培养试验,研究了沉积时间和温度对底泥间隙水相有机污染物的影响。结果表明,环境温度对于底泥间隙水中有机污染物浓度影响......
室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜（Cu2O）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪及拉曼光谱仪......
新近吹填淤泥具有高含水率、低渗透性等特点,且剪切强度极低。为深入研究吹填淤泥在堆场中沉积时间对剪切强度的影响,采用沉降柱模......
主要采用电子束蒸发与电阻蒸发复合镀膜系统制备 Zr-Cu 二元非晶薄膜，衬底基板无冷却装置。通过X 射线衍射仪（XRD）、场发射透射电子显......
采用不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,用阴极电沉积法在Si衬底上制备出了一系列的ZnO薄膜.实验发现ZnCl2的浓度对ZnO......
采用射频等离子增强化学气相沉积设备，以高纯N2和B2H6为气源，制备了系列h-BN薄膜，得到适合生长h-BN薄膜的最佳工艺条件。在此条件下，研......
基于化学水浴法,以硫代乙酰胺为硫源、氯化镉为镉源、尿素为缓冲剂,在酸性条件下制备了CdS薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪、扫描电......
本文利用有机体系电化学沉积法,以FTO导电玻璃为基底,从N,N-二甲基甲酰胺（DMF）溶液中制备出了锌掺杂氧化镍电致变色薄膜。在制备薄膜......
利用射频磁控溅射方法,以六角氮化硼（h BN）为靶材,在单晶硅衬底上制备氮化硼（BN）薄膜,系统地研究了沉积时间对BN薄膜相结构的影响。红......
