辉光功率相关论文
通常采用氢稀释方法调节非晶硅薄膜的晶化率.本文针对用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法生长非晶硅薄膜材料中,辉......
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备高电导率、高晶化率的P 型大 面积微晶硅材料。研究了硼掺杂比、硅烷浓......
为提高硅薄膜沉积过程中的硅烷利用率，我们利用四极杆质谱对高压高功率法沉积硅薄膜过程中硅烷分压进行了监测。研究了硅烷分解率与......
本文介绍了在RF-PECVD系统上采用调节气体辉光功率和反应压力方法沉积出4A/S以上,光敏性(σ/σ大于10的a-Si:H材料,并在此基础上得......
本文采用NIP型叠层电池结构是提升硅基薄膜电池转换效率的重要手段，非晶硅锗材料因其带隙可调适宜作为中间电池的有源层。以锗烷、......
采用空间分辨光发射谱和傅里叶变换功率阻抗分析仪研究了衬底偏压和辉光功率对微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性的影......
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了系列本征微晶硅薄膜材料和nip单结微晶硅太阳电池,研究了硅烷浓度、衬底温度和辉光......
采用改进的电压和电流测试方法对衬底电极外加不同电压Vs的射频等离子体中的阻抗和功率消耗进行了测试分析.结果表明:在射频电极施......
目前，磁控溅射制备ZnO：Al薄膜时的溅射压强较低，若氩气流量不稳或腔室排气口处气流扰动会对溅射压强产生较大影响，影响成膜质量。为提......
采用RF—PECVD在不锈钢衬底上制备了一系列NIP结构的硅薄膜太阳能电池，得到本征层的辉光功率分别是4W，7．2W，9W，20W，40W。用磁控溅射在P层......
采用甚高频等离子化学增强气相沉积系统（VHF-PECVD）制备器件质量级本征微晶硅薄膜,研究薄膜的光电性质和结晶性质.结果表明：随硅烷浓......
本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品.喇曼测试结果显示:在不同硅烷浓度(SC)条件下,非晶到微晶......
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响,提出使用功率梯度的方法制备微晶......
