常关型相关论文
近年来,第三代半导体材料Ga N凭借其禁带宽度大、击穿场强大等优异的材料特性在电力电子等领域中应用广泛。其中,Al Ga N/Ga N异质......
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制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,......
介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN／GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积( ALD)方法实现......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频......
介绍了一种采用ICP干法刻蚀技术制备的槽栅常关型AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。采用原子层淀积(ALD)......
半导体技术近年来发展迅速,传统半导体材料的研究几乎已到达极限,第三代宽禁带半导体如Ga N,Al Ga N等开始展露锋芒。Ga N有着良好......
高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广......
