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采用变温及时间分辨光致发光测量手段, 研究了分子束外延(MBE)设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现InxGa1-xAs盖帽层......
本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现......
该文在研究自组织In(Ga)As/GaAs量子点的生长和物性的基础上,通过几种方法都成功的得到了具有室温1.3μm发光波长的量子点材料.并......