InAs量子点相关论文
利用分子束外延技术(MBE)，在GaAs(001)衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品，并制备了量子点红外探测器件。利用原子力显微镜......
采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层, 采用光致荧光光谱（PL）和时间分辨荧光发......
The growth parameters affecting the deposition of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate by low-pressu......
The self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) with extremely low density of 8\time10^(6) cm^(-2) are achieved using h......
The optical properties of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate grown by metal-organic chemical vapor......
采用变温及时间分辨光致发光测量手段, 研究了分子束外延(MBE)设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现InxGa1-xAs盖帽层......
研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光（PL）的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生......
采用低流量III族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物。采用高能电子衍射监控衬底表面氧化物清理过程并得出氧化......
近年来,由于量子点具有其它体材料所不可比拟的优越性,越来越被人们关注,所以量子点材料的制备和性质的研究,是当今社会最前沿的科......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
文章主要研究了InAs量子点样品在不同测试温度、激发功率和应变条件下的光致发光(PL)光谱的变化,发现随着测试温度的升高,样品对应......
利用MOCVD外延技术生长InAs量子点材料,通过采用Sb作为表面活性剂,调节所选择InAs量子点材料的生长参数,获得了具有不同尺寸、高密......
利用退火技术 ,实现了在低温 Ga As外延层上 In As量子点的生长 .透射电镜 (TEM)研究表明 ,低温 Ga As外延层上生长的 In As量子点......
在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形......
用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提......
利用分子束外延技术（MBE），在GaAs（001）衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品，并制备了量子点红外探测器件。利用原子力显微镜（AFM）......
近年来,半导体量子点特别是InAs量子点的基本物理性质和潜在应用得到了广泛研究。许多研究者利用InAs量子点结构的改变以调制其光......
采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光......
GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点......
采用分子束外延方法,通过RHEED的实时监控在Ga As(001)衬底上外延生长In As量子点.利用改变生长厚度(1.7,1.8,2.0,3.0 m L),结合RH......
用分子束外延系统在GaAs(001)衬底上生长InAs量子点, 在InAs量子点上插入3 nm的In0.4Ga0.6As层, 可将量子点发射波长调谐到1 300 n......
利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度（-5×1010cm-2）的InAs量子点.室温荧光光谱表明,......
研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线。在室温下,通过分别......
InAs/GaAs量子点是重要的单光子源,位置可控量子点对实现可寻址易集成的高性能量子点光源具有重要意义.本文详细研究了氢原子条件......
介绍了利用反射式高能电子衍射（RHEED）方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。从反射式高......
自组装InAs量子点电子和空穴在三维方向上均受到限制,表现出量子化的电子态和高的辐射复合效率,在基础物理和新型的光电子器件中具......
美国喷气推进实验室最近研究出了一种用于生长高质量InAs量子点的改进型方法.用这种改进型方法制作的InAs/InGaAs/InP量子点半导体......
基于分子束外延（MBE）技术,以反射式高能电子衍射仪（RHEED）作为实时监测工具,在经过Ga液滴刻蚀而具有纳米洞的GaAs衬底上沉积不同厚度的......
通过在多层量子点体系中引入应变补偿层,改变量子点系统的应力场分布,可以控制生长过程中量子点的大小均匀性和密度,最终获得高质......
半导体超晶格、量子阱概念的提出,开创了人工设计和制备低维量子结构材料的新领域。在三个维度上都受到约束的量子点结构具有独特......
首次细致地研究了 In As量子点中直接掺杂 Be对其发光特性的影响。光致发光 ( PL)谱的研究表明 ,较低掺杂浓度时 ,发光峰蓝移 ,同......
近年来，由于零维量子点材料的量子效应，使得InAs/GaAs量子点在量子器件方面的应用吸引了大批研究人员的兴趣。MOCVD和MBE的发展使得I......
自组织InAs/GaAs量子点由于在三维方向上对载流子的限制作用使得其在量子点太阳能电池，量子点探测器，量子点激光器等新型光电器件领......
经过近半个世纪的发展,半导体激光器在光电子器件和通讯领域内已经得到了广泛的研究和应用。对量子点和量子阱激光器材料的研究有......
半导体量子点具有类似于单个原子的不连续能级结构,使得它对于基础物理研究和新型电子及光电器件研究都有很重要的意义,量子点材料......
利用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）技术生长了双层InAs/GaAs量子点,并将GaInP作为应力补偿层引入到其中,采用原子力显微镜（AFM）对量子......
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