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针对源漏诱生应变Ge沟道MOSFET的应用前景,开发了一种基于离子注入与准分子激光退火的GeSn合金生长技术。X射线衍射与透射电镜测试......
采用第一性原理方法系统地研究了沿（001）、（101）和（111）面施加晶面内各方向应变不相等的双轴张应变,即非对称双轴张应变对锗能带结构的影......
随着微电子技术的发展,晶体管的特征尺寸越来越小,集成电路的规模也越来越大,采用传统的等比例缩小原则提升集成电路性能的方法越......
锗的电子和空穴迁移率比硅要高，尤其是它的空穴迁移率是所有半导体材料中最高的。锗由于比硅具有更高的迁移率而使得应变锗倍受关注......
