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0.25μm介质栅与非介质栅PHEMT的性能比较分析
为提高PHEMT性能,从改进PHEMT结构出发,采用介质栅器件结构,研制了0.25μm介质栅PHEMT器件,并与Win公司生产的0.25μm非介质栅器件......
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赝配高电子迁移率晶体管器件
开态击穿
负载牵引
介质栅
双场板
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