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用平面波展开法分析计算了适合三维应用的正交和斜交叠层型电磁带隙(EBG)结构.提供了阻带宽度与各结构、材料参数的关系曲线,为工......
为提高PHEMT性能,从改进PHEMT结构出发,采用介质栅器件结构,研制了0.25μm介质栅PHEMT器件,并与Win公司生产的0.25μm非介质栅器件......
研制出在蓝宝石衬底上制作的MOS AlGaN/GaN HEMT.器件栅长1μm,源漏间距4μm,采用电子束蒸发4nm的SiO2做栅介质.在4V栅压下器件饱......
提出了一种新型的基于左手介质的介质栅波导阻带滤波结构,并采用多模网络与严格模匹配相结合的方法,对该左手介质栅波导阻带滤波特......
