总辐照剂量相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

总辐照剂量相关论文

超深亚微米SOI总剂量效应泄漏电流模型

总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽......

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总辐照剂量绝缘体上硅模型浅沟槽隔离 Total Irradiation Dose(TID) Silicon-On-Insulator model Shal

空间站环境COTS器件容错技术综述

由于空间站环境的总辐照剂量影响较小，采用商用现货（COTS）器件替代传统高等级抗辐照器件来降低成本是有效的方法，但是随着工艺尺寸的缩......

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商用现货总辐照剂量单粒子效应容错设计空间站纠错编码

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