浅沟槽隔离相关论文
氧化铈（CeO2）磨料在化学机械抛光（CMP）效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提......
在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄......
随着微电子工艺技术的不断进步,基于LOCOS的隔离技术已经不适应深亚微米工艺的要求,浅沟槽隔离(STI)技术由于所具有的几乎为零的场......
随着CIS技术的发展和广泛应用,小透光率(Transmission rate,TR)的浅沟槽刻蚀得到最为广泛的应用。针对浅沟槽刻蚀,特别是小透光率......
设计了一组测试结构用来探讨狗骨(dogbone)结构有源区对n-MOSFET性能的影响因素。测试结构和测量数据基于40 nm工艺技术,通过改变......
在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄......
该论文主要的研究内容包括:1、完成了CMP设备的机械结构和电气控制系统的设计,研制成功一台实验型的CMP设备.并使用该设备进行了二......
由于闪存存储器独有的快速编程、电学可擦除和高密度特性，它在过去数十年时间得到持续的增长。这些特性也使得闪存技术能很好的满足......
研究了浅沟槽隔离 (STI)工艺的各主要工艺步骤 :沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化 .使用器件模拟软件......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
随着半导体制程工艺的不断发展,对器件隔离性能的要求越来越高,对减小浅沟槽隔离边缘的泄漏电流的要求也越来越高.本文从中国、全......
化学机械抛光工艺，就是使用一种含磨料的混合物和抛光垫抛光集成电路表面。在浅沟槽隔离层抛光工艺中，要求较高的氧化物介电质去除速......
总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽......
研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon on insulator)器件总剂量效应的影响.在 TG偏置下,辐照 130nmPD(部分耗尽,par......
提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的......
<正> 随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最......
提出一种新型光电探测器，采用浅沟槽隔离工艺，在双光电探测器基础上制作而成。通过使用Silvaco公司的器件模拟软件Atlas进行器件模拟......
随着工艺制程的不断进展,浅沟槽隔离技术(STI)成为深亚微米后的主流隔离技术。文章通过测试分析不同栅到有源区距离(SA)晶体管(MOS......
中国半导体企业目前对于如何借鉴、应用现有专利技术来节约研发成本、缩短研发周期、避免专利侵权等问题还没有很深刻的认识。为了......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
<正> Y99-61525-131 0000444射频封装用球栅阵列(BGA)互联的性能与分析=Analysis and performance of BGA interconnects for RFpa......
应变工程技术被认为是将摩尔定律延伸的关键技术之一,目前该领域的发展主要从器件的材料、结构、工艺三个方面进行解决,其中,以工......
等离子体干法刻蚀是大规模集成电路制造中最关键的工艺之一。随着大规模集成电路制造朝着更高集成度,更小关键尺寸以及更大晶圆半......
浅沟槽隔离技术(Shallow Trench Isolation,STI)以突出的隔离性能,平坦的表面形貌,良好的锁定性能以及几乎没有场侵蚀,已经成为深......
在现代集成电路制造中,一般采用浅沟槽隔离技术来实现有源器件的隔离。然而随着器件尺寸的缩小,对浅沟槽隔离的无缝隙填充成为隔离......
浅沟隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。本文研究了0.18微米浅沟槽隔离技术（STI）中的刻蚀工艺。本文通过对各......
浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术。使用TCAD软件分别对采用......
浅沟槽隔离技术是一种新的MOS集成电路隔离方法,它可以在全平坦的条件下消除局部氧化(LOCOS)技术的“鸟嘴”缺陷,绝缘层可以更厚,......
近年来具有低电压、低成本和高可靠性等优点的电荷俘获型存储器得到广泛研究,电荷俘获型存储器成为将来可能取代传统浮栅型快闪存......
本文设计了一种新型的抗辐射Z棚MDS器件版图结构。该结构同传统抗辐射结构环棚MDS器件相比,具有较小的版图面,较小的栅电阻,并且对......
对0.18μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOSFET)器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流......
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SO......
