用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,纯 Ar气氛 ,基片分别为加热 3 0 0℃和不加热的情况下制备的 No.2系列和 No.7系列的用 Y2......

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压，纯Ａｒ气氛，基片分别为加热３００℃和不加热的情况下制备的Ｎｏ．２系列和Ｎｏ．７系列的用Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２薄膜（简称ＹＳＺ膜）。研究发现......