缺陷浓度相关论文
目前,基于III族氮化物半导体材料的发光二极管（Light-emitting diodes,LEDs）已经取得了巨大进步,尤其在蓝光LED领域。发光二极管具有......
实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管, 对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,......
多相催化剂在生产生活中占据重要地位,通过对催化剂的有效调控,不断优化催化反应,是人们追求的目标。目前催化剂存在活性组分易团......
以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池是目前空间中各类航天器的主要能量来源,大量研究表明,带电粒子辐射是导致电池性能衰退,影响......
碳纳米管在建筑和土木工程领域有广泛的应用潜力,尤其可以对建筑材料的力学性能、保温性能等起到明显的提升作用。这些应用前景都......
单层二硫化钼因其约1.8 eV的直接带隙而具有卓越的物理化学性能,在纳光电子器件、能量存储、化学催化和纳米级过滤膜等领域具有广......
氧化物稀磁半导体材料具有优异的光、电磁性能,在新型自旋电子学器件、光电磁信息材料、化学和生物领域都具有广泛的应用,是当前新......
学位
采用3.7MeV-5.9MeV质子辐照对500A、1600V快速晶闸管实现了局部少子寿命的控制.对质子辐照在器件中的缺陷浓度进行了TRIM模拟.对通......
为研究超化学剂量二氧化铀(UO_(2+x))中缺陷对烧结的影响,应用缺陷化学理论建立了点缺陷模型(PDM).通过PDM计算了UO_(2+x)中的缺陷......
用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,纯 Ar气氛 ,基片分别为加热 3 0 0℃和不加热的情况下制备的 No.2系列和 No.7系列的用 Y2......
对在不同极板负偏压下采用射频-直流等离子体方法制备得到的类金刚石膜（a-C：H）的微结构进行了测量,利用慢正电子束实验装置,探测并分......
报告了利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和正电子湮没等实验对YBa2Cu3O7-δ(Y-123)体系正交畸变度和正电子寿命谱随烧结时间变化......
采用磁控溅射技术,以N_2作为p型掺杂源,制备p型N掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同掺杂量的N掺杂ZnO薄膜的光学特性。结果表明,掺杂ZnO薄......
用蒸发／冷凝方法制备Cu/LiF团簇基多层膜，用广延X射线吸收精细结构（EXAFS）和慢正电子束进行研究。与相应的本材料相比，虽然未发现Cu-Cu......
为研究超化学剂量二氧化铀（UO2＋x）中缺陷对烧结的影响,应用缺陷化学理论建立了点缺陷模型（PDM）。通过PDM计算了UO2＋x中的缺陷浓度、铀离......
采用固相法制备了Ca_（1-x）Gdx_Cu_3Ti_4O_（12）（x=0～0.09）陶瓷系列样品,利用X射线衍射、Raman光谱和正电子湮没等技术手段,对系列样品的微......
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用固相反应法制得的铝掺杂二氧化钛(Al-TiO2)材料研究了该材料在可见光下对吡啶的可见光降解性能,着重探讨了材料的微结构与可见光......
铜氧化物是一种具有很大应用潜力的光伏材料,其中Cu2O和CuO最具有研究价值。CuO的禁带宽度在1.2～1.9 eV之间,Cu2O的禁带宽度在2.0～2.......
采用真空电弧炉熔炼了铝含量从25at.%至51at.%十种不同成分的二元铁铝合金,在773K至1173K五个温度下退火并水淬。采用x射线衍射方......
