成核区相关论文
为了研究不同环境气压条件下纳米Si晶粒成核区的范围,采用波长为308 nm的XeCl脉冲准分子激光器,分别在1—200 Pa的Ar气环境下,烧蚀......
为了确定纳米Si晶粒气相成核的位置,采用XeCl准分子激光器,在10Pa氩气环境下,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在距离等离子羽正下方2.0cm处、......
本文研究了在微波等离子体ＣＶＤ系统中，金刚石在Ｃ６０蒸发膜表面的成核行为，观察到金刚石晶核聚集现象，并且讨论了这种成核行为的产生机理。......
在室温和10Pa氩气环境中，引人平行于靶面方向的直流电场，通过改变脉冲激光能量密度烧蚀单晶硅靶，在与羽辉轴线呈不同角度的衬底上沉积......
本文采用脉冲激光烧蚀技术，结合流体动力学模型和成核区模型，实验研究了环境气压和平行挡板对烧蚀粒子与环境气体原子碰撞、成核、传......
采用所提出的多分散方法可以看出成核区各位置产生的液滴对湿蒸汽流的影响,并可被认为是一种有用和实用的方法。......
