纳米硅晶粒相关论文
在室温条件下保持Ar环境气体压强不变,采用脉冲激光沉积（PLD）技术,通过改变激光能量密度,在与烧蚀羽辉轴线垂直放置的衬底上沉积了一......
为了制备纳米硅薄膜,采用脉冲激光沉积系统,保持靶材和衬底间距不变,在不同激光能量条件下,得到一系列纳米Si薄膜。利用喇曼散射光......
为了研究混合环境气体配比对脉冲激光烧蚀制备纳米硅（Si）晶粒角度分布的影响,采用XeCl准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,改变混合环......
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 n......
发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜中纳米硅晶粒(nc-Si)有择优生长的趋势.用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微......
本文采用脉冲激光烧蚀技术，结合流体动力学模型和成核区模型，实验研究了环境气压和平行挡板对烧蚀粒子与环境气体原子碰撞、成核、传......
