非晶铟镓锌氧化物（Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZO）薄膜晶体管（Thin-Film Transistor,TFT）已被广泛运用于平板显示。抬高......

有机场效应晶体管(OFETs)由于其低成本、可溶液法制备、可柔性化等优势,在有机光电器件领域具有广阔发展前景。虽然OFETs器件迁移......

实现一维纳米结构的可控制备和物性调控,是ZnO基纳米器件走向实用化的基础和必备条件。纳米ZnO由于具有很大的比表面积,表面效应对......

使用二苯甲酰甲烷-二苯菲罗啉-铕（Eu（DBM）3BPhen）作为电子给体和[6,6]-苯基-C61-丁酸酸甲酯（[60]PCBM）作为电子受体制备了一种新型的有机......

研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象，实验发现样品的光电导与入射光强有密切的关系，当入射光强由弱到强变......

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结构简化,功能化和多样化是后摩尔时代电子信息技术发展的主要趋势。光电多功能集成器件通过光和电对简单器件电阻的调控,实现信息......

通过两步法合成了表面修饰Ag纳米颗粒的ZnO纳米棒阵列膜,并检测了该纳米棒阵列膜在波长为365 nm的紫外光照下的时域光电流曲线。与......

研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导......

对AlGaN基p-i-n光电探测器的负光电响应特性进行研究,从实验上证实了器件中p型接触电极的肖特基特性是导致该现象的主导因素.不同......

III-V族直接带隙半导体化合物在光电探测器领域具有非常广泛的应用。由于GaN基宽禁带半导体材料具有化学性质稳定、直接带隙及带隙......

氮化镓基材料是一种直接宽带隙半导体材料，具有优异的物理和化学性质，是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光二极管、激光二极管......