阻变效应相关论文
当前,传统的存储器件正面临着未来电子器件小型化的挑战,特征尺寸达到了物理极限,无法适应未来存储器件高密度集成、高速处理、低......
由于信息时代的到来,信息存储技术受到了学术界广泛的关注。传统的存储器件具有一定的局限性,这就需要我们通过研究新型材料和开发......
自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科,其核心内容是通过主动调控固态系统中电子的自旋自由度,将......
近年来,随着人类迈入大规模信息和多媒体时代,人们对电子产品存储性能的要求越来越高,例如:大容量、高密度、快存取、非易失以及小......
BiFeO3(BFO)作为多功能材料和器件的应用基础,其具有室温下的铁电、铁磁性。然而高泄漏电流、大矫顽场已经成为技术发展应用的障碍......
阻变随机存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)作为一种新型非挥发性存储器,具有结构简单、读写速度快、存储密度高、功耗......
采用脉冲激光沉积技术在(001)取向的SrTiO3(STO)单晶衬底上制备Bi0.8Ba0.2FeO3(BBFO)/La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)异质结,并获得Au/BBFO/......
阻变存储器作为下一代非易失性存储器的有力竞争者之一,在最近十多年来吸引了广泛的关注。作为阻变存储器的核心,阻变材料的阻变性......
铁电存储器,作为一种有望替代闪存的新型存储器,一直受到广泛关注和研究。在铁电存储器中,基于极化翻转的电阻转变效应,由于其没有......
阻变存储器(RRAM)凭借其集成度高,写入擦除快,功耗低,和当今半导体工艺完全兼容等特点,成为最有希望替代Flash存储器的新一代非挥......
自从在钙钛矿氧化物中发现高温超导和巨磁致电阻以来，越来越多的新特性被加以体现，在铁电、介电、铁磁和超导中。由于这些材料表现出......
最近，随着晶体管缩小到量子尺度，传统半导体器件的继续集成化发展遇到了难以克服的瓶颈。因此，人们提出了一系列基于新材料、新设计和......
随着半导体技术节点的推进，传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求。阻变式存储器（RRAM）作为一种新的存储技术......
研究了BiFe0.95Mn005 O3薄膜器件的双极性阻变效应.通过对薄膜器件的电流电压曲线进行电导机制的拟合分析,发现在低阻态时其电流电......
分别采用脉冲激光薄膜沉积技术和磁控溅射薄膜沉积技术研究了氧化镓薄膜和氧化镍薄膜的生长机理,制备了具有本征缺陷的非化学计量......
铁电体作为一种热门的研究材料具有许多特殊的性质,如铁电性、压电性、热释电性、光伏效应和阻变效应。其中地,BiFeO3是一种经典的......
结构简化,功能化和多样化是后摩尔时代电子信息技术发展的主要趋势。光电多功能集成器件通过光和电对简单器件电阻的调控,实现信息......
现代电子信息技术的飞速发展对微波磁性材料提出了更高的要求—高共振频率、高磁导率以及高电阻率。而软磁铁氧体材料尽管具有高电......
利用偏轴射频磁控溅射法,在（001）SrTiO3（STO）单晶基片上制备了Pt/BiFeO3/La0.5Sr0.5CoO3/STO（Pt/BFO/LSCO/STO）异质结电容器。研究了BiFe......
为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理和VASP仿真软件,分析了阻变随机存储器（RRAM）阻变效应的物理机制。对比计算了单斜晶相HfO2中Ag掺杂......
构筑纳米复合材料或在一种化合物中引入多种金属元素,能够协同各组分不同功能,实现材料性能的提升甚至拓展,是非常有应用前景的研......
1994年,Hans Schmid首次明确定义了多铁性材料,即同时拥有两种或两种以上铁有序(铁磁性、铁弹性、铁电性和铁涡性)参数的材料。近......
近二十年来,集成铁电存储器倍受关注。早期广泛研究的存储材料是钙钛矿结构的Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜。然而PZT薄膜的疲劳问题严重,......
近来,铁电基阻变存储器展示出结构简单、存储密度高、存取速度快、电阻开关比大、可靠性好等特点,成为最具潜力的新兴半导体存储器......
利用磁控溅射薄膜沉积技术、微加工技术和离子刻蚀等技术制备了金属（Au、Ag和Ti）/Nb:SrTiO3结构的存储单元器件。通过对不同金属/Nb:......
当今世界信息技术的快速发展是离不开非易失性存储器件性能的不断提高的。为了获得性能更加优异的存储器,大量的研究者都在找寻常......
