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在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond......
利用不同的电极材料和制备方法制备了3种M/HgI2。采用热电子发射模型计算了相应的接触势垒。采用比接触电阻法、电极系数法和欧姆系......
设计了绝缘材料电致发光现象研究所用的实验装置,以低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)和聚四氟乙烯(PTFE)三种聚合物绝缘材料为样品,研究了......
金属半导体金属(MSM)紫外探测器件在航空航天、导弹追踪、紫外杀毒等方面有广泛的应用,而金属电极的选择对器件性能影响较大。在蓝......
为改善高电阻率硅的电火花线切割可加工性,提出了一种在半导体电镀金属薄膜表面放电的方法(简称进电端放电法)。首先在硅(电阻率为2.1......
GaSb半导体化合物由于它们的能带结构特点在电子和光电子器件的应用方面有着广泛的前途。在金属与GaSb半导体接触中,金属半导体接......