电流-电压特性相关论文
随着电子技术和产业的发展，微电子器件的发展要求体积更小、速度更快、频率更高、功耗更低，以实现小型化和单片化。高介电常数材料正......
本文简要地介绍了有机半导体中载流子迁移率的几种模型,着重阐述了测量有机半导体中载流子迁移率的各种方法的测试原理。主要有如......
对GaN基蓝光功率型LED在老化前和老化期间施加反向人体模式静电放电(ESD),并对静电打击前后及老化前后的LED光学电学参数进行分析......
随着电子信息产业对器件性能要求的不断提高,受衬底材料的限制,硅基器件已逐渐难以满足要求。而且集成电路一直遵循摩尔定律不断发......
利用Landauer-Büttiker公式和非平衡格林函数方法,研究了在电荷和自旋偏压共同作用下的扶手椅型石墨烯纳米带的自旋相关的电子输......
为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量......
期刊
采用高温超导线圈对于减轻主变压器的重量及提高其效率有明显效果.介绍"多层绕"和"密绕"高温超导线圈概况,以及采用直流电及交流电......
InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制.InSb器件Ⅰ-Ⅴ中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前......
利用热场发射理论和数值计算方法 ,分析了碲镉汞光伏器件的电流 -电压特性 ,提取了金属 -半导体 (MS)界面参数 ,并对这些参数进行......
测量了CdTe太阳电池器件从50kHz至1MHz频率范围的电容-电压特性,计算了吸收层的载流子浓度和空间电荷区的位置,电容-电压特性测试......
分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及Z......
文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性。肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成。Co离子注入剂量......
根据紧束缚模型,利用格林函数的方法,将次近邻跃迁考虑在内,研究了扶手椅型石墨烯纳米带的输运性质.通过数值计算,给出了不同尺寸......
在 77到 2 92K的范围内 ,系统研究了含InAs自组装量子点的金属 半导体 金属双肖特基势垒二极管的输运特性 .随着温度上升 ,量子......
为了有效阻止锆钛酸铅镧（PLZT）与半导体界面发生反应和互扩散，根据锆钛酸铅镧和钛酸铋（BIT）各自的铁电性能，采用脉冲准分子激光淀积（PLD）方......
采用脉冲激光沉积技术制备了Ag/ZnO/Pt和Ag/ZnO-Ti/Pt阻变存储器。与Ag/ZnO/Pt相比,Ag/ZnO-Ti/Pt的阻变性能得到了显著的改善。对T......
采用磁控溅射方法在Nb0.7％-SrTiO3基片上制作Au薄膜接触，并在氧气气氛下750℃退火30min，在室温环境下测量电流-电压和电容-电压等特性......
在四阳极直流放电装置上，测量并分析了辉光放电的电流．电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明．采用稳流放电模式比稳压放电具有更......
具有特异电学性质的分子结的制备及电子输运特性研究是分子电子学领域中的主要内容, 对构筑分子电子器件具有重要意义. 但是, 由于......
采用简单易控、对环境友好的矿化方法，利用牛血清蛋白（BSA）做模板，通过Cd^2＋与硫代乙酰胺（TAA）反应制备了形貌均一的CdS纳米棒和网状纳米......
提出一种应变Si／SiGe UMOSFET结构，并与Si—UMOSFET器件的电流-电压特性进行比较；对SiGe区域在UMOSFET器件中的不同厚度值进行静态电......
本文对以LiBq4作为发光层,PVK:TPD作为空穴输运层,结构为:ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的蓝色有机电致发光器件,在相同工艺条件下引......
表观正阻是RTDI-V特性上峰值电压¨大于谷值电压Vv的现象。以前的观念认为它来源于RTD和其负载电阻凡构成的锁定单元，但未阐明......
基于LabVIEW 7 express设计和编制了电流-电压特性测试程序,用该程序对纯电阻进行测试,实验结果与线性拟合结果之间误差小于0.3%,......
本论文采用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的第一性原理计算方法,系统研究了FeCn和Fe2Cn团簇的输运性质,包含有平衡电导、......
在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品，室温下测量的最高峰．谷电流比为18．39．通过模拟得到RT......
采用脉冲激光沉积技术制备了Ti/Pr0.7Ca0.3MnO3/Pt(Ti/PCMO/Pt)和底电极为La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)的Ti/Pr0.7Ca0.3MnO3/La0.67Sr0.......
采用模拟粒子在势场中的布朗运动去讨论热涨落对小电容时Josephson效应的影响,得到热涨落存在时Josephson结的电流-电压特性,计算......
采用LabVIEW软件平台搭建一套自动化I-V曲线测试系统，系统的数据采集部分由LabVIEW8．5软件、VISA4．1库、Keithley2000数字源表、低压......
本文通过溶胶-凝胶的方法在戥单晶片上制备了定向生长的双钙钛矿结构的巨磁电阻薄膜材料Sr2FeMnO6（SFMO）。X射线衍射结果表明，该SFMO......
分析了交流接触器I-U特性,并设计了附属电路,使交流接触器线圈可通直流电运行....
本论文采用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的第一性原理计算方法,研究了分子尺度导体输运性质中存在的几个问题以及通过设......
当平面P-N结反向偏置,特别是反向击穿时,常常出现反向优安特性曲线随时间的蠕变,反向电流大大增加.本文给出了各种结构图形和结构......
超导单光子探测技术是基于超薄超导薄膜的非平衡态热电子效应的一种新型的单光子探测方法。超导单光子探测器的计数率可达到GHz，时......
在分析SIT器件电流-电压特性的理论基础上,对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试.通过对测试曲线进行数据......
自Chang(张立纲)、Esaki(江崎)和Tsu(朱兆祥)于1974年首次在半导体双势垒量子阱结构中观察到共振隧穿现象以来,多势垒量子阱结构中......
将p型单晶硅在HF溶液中进行阳极电化学腐蚀制备出孔隙率约为30%~85%、直径为2~30nm不等的多孔硅,用原子力显微镜(AFM)观察其表面形......
基于光伏太阳能电池(PSC)的测试数据,采用指数函数拟合法和多项式拟合法对PSC的电流-电压(I-V)特性曲线进行了最小二乘法拟合,通过......
为准确计算太阳能电池的串联电阻,从太阳能电池单二极管模型的电流-电压特性方程出发,推导出一个用LambertW函数形式表示的串联电......
本工作测量了升华外延碳化硅p-n结的电流-电压特性和空间电荷电容。通过对正向电流-电压特性及电容-电压特性的分析,表明:随着外延......
MOSFET静电场传感器是一种固态传感器,没有任何机械移动部件。文中研究了MOSFET静电场传感器的电流-电压特性和电流-电场特性。在......
能源危机迫使人类寻找和开发新的绿色可再生能源。其中，染料敏化太阳能电池是（DSSC），因其原材料价格低廉、制作工艺简单，成本仅为晶体硅......
近年来，染料敏化太阳能电池（DSSCs）的研究已经取得了很大的进展，光电转换效率已超过10%。二氧化钛因其资源丰富、安全无毒、化学性质稳......
基于碳化硅金属-半导体场效应晶体管内部载流子输运的物理特性分析,建立适于精确计算4H-SiCMESFET器件大信号电流-电压特性和小信......
立方氮化硼(cubic boron nitride, cBN)晶体是间接带隙半导体材料,导带底在X能谷,价带顶在Γ点,其禁带宽度为6.3eV。本文主要研究......
GaSb半导体化合物由于它们的能带结构特点在电子和光电子器件的应用方面有着广泛的前途。在金属与GaSb半导体接触中,金属半导体接......
目前有机电致发光器件（OLED）的研究与开发有了突破性进展,但仍有许多问题尚不清楚,器件寿命短、效率低。要解决这一系列问题,必须深......
