显影轮廓相关论文
考虑厚胶曝光过程中非线性因素的影响及其显影特点，用一套随抗蚀剂厚度发生变化的曝光参数改进的Dill曝光模型，仿真厚层抗蚀刺光刻过......
DILL曝光模型和MACK显影模型,编制了接触式曝光系统的厚层抗蚀剂光刻模拟软件,用其分析在理想曝光剂量条件下,抗蚀剂显影后的线宽......
研究了不同后烘情况下的PAC浓度分布和抗蚀剂的显影轮廓，结果表明适当的后烘可明显减小驻波缺陷，提高光刻质量，而过量的后烘将会导致......
综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建......
基于薄层抗蚀剂的曝光模型,建立了普遍适应于表面等离子体激元光刻的抗蚀剂曝光模型.选用AZ1500和AR3170两种抗蚀剂对表面等离子体......
