晶体掺杂相关论文
给出了ＮａＦ及其掺杂质Ｌｉ＾＋、Ｍｇ＾２＋、Ｃｕ＾２＋和ＯＨ＾－五种样品的Ｆ２心在偏振的氮分子激光照射下的二向色性吸收特性，对各种样品中Ｆ２心的转向效率进行了比较，并对结果进......
作者首次用电子顺磁共振波谱(EPR)方法,对方铅矿中的银作了研究.在EPR谱图中得到一条Gauss线型的精细结构(FS)谱线,证明方铅矿中有......
Yb:CaGdAlO_4(Yb:CALGO)晶体是一种新兴的激光晶体,在连续激光、超快脉冲激光、可调谐激光和薄片激光等领域有良好的应用前景,成为......
基于晶体中线性偏振波的耦合波理论以及光折变效应的能带传输模型，求出了体全息存储系统中光折变晶体动态范围的解析表达式。以ＬｉＮｂＯ３Ｆｅ和ＢａＴｉＯ３晶......
通过光谱和荧光寿命及增益的测量，从实验上证实ＴｉＡｌ２Ｏ３晶体具有较弱的荧光浓度猝灭效应，从而可以通过提高晶体掺杂浓度以降低其激光泵浦阈值......
ＮｄＣａ４ＧｄＯ（ＢＯ３）３（简称ＮｄＧｄＣＯＢ）是一种新型自倍频晶体。ＢｄＣＯＢ属单斜双轴晶，空间群为Ｃｍ，晶胞参数为ａ＝０．８０９５ｎｍ，ｂ＝１．６０１８ｎｍ，ｃ＝０．３５５８ｎｍ，β＝１０１．２６°。吸收光谱呈强烈偏振特性，Ｅ∥ｘ具有最强的吸收...
NdCa4GdO (BO3) ......
报导了用ＬＤ纵向泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ晶体连续运转激光器实验研究结果．采用多组透镜构成的光学耦合系统准直、聚焦ＬＤ光束，用透过率为３％、曲率半径为３００ｍｍ的输出镜......
光子学革命将彻底改变人类在21世纪的生活。这是千真万确的事实,人类将完全工作在光学和光子学的环境之中。
Photonics revolutio......
报道了（Ｃｒ４＋ ， Ｙｂ３＋ ）ｖＹＡＧ晶体的吸收光谱和荧光光谱特性。在室温下， （Ｃｒ４＋ ， Ｙｂ３＋ ）ｖＹＡＧ晶体在９３７ ｎｍ 和９６８ ｎｍ 处存在两个吸收带， 能与ＩｎＧａＡｓ激光二极管有效耦合； 而且在１０３０ ｎｍ 处有一Ｃｒ４＋ 吸......
分析了啁啾脉冲在钛宝石再生放大器中的能量增益与泵浦光及信号光光束口径的关系。并用不同能量的调Ｑ倍频ＮｄＹＡＧ激光器的５３２ｎｍ光为泵浦光，测量了......
对激光二极管(LD)端面抽运圆柱状Nd∶YAG晶体产生946 nm激光的热效应进行了分析,考虑了晶体的三能级结构和腔内传播功率分布,修改......
报道了薄片式Yb…YAG/1030nm激光器,Yb…YAG晶体掺杂原子数分数为10%,几何尺寸Φ11mm×420μm,高反面经Cr/Au金属化处理后,采用铟......
报道了腔内倍频Yb:YAG/BIBO 515nm薄片激光器,Yb:YAG晶体掺杂浓度(原子数分数)为10%,几何尺寸为11mm×420μm,高反面经Cr/Au金属......
实验上比较了808nm和888nm波长半导体激光器抽运时,Nd:YVO4内腔倍频单频激光器的最高输出功率和光-光转换效率,以及Nd:YVO4晶体热......
随着社会信息化的发展,人们对各类传感器件的需求愈加迫切。硅压敏器件需要用低阻(8—12Ω·cm)的Cz硅,常规掺杂的硅均匀性不能满......
通过室温下掺杂浓度为０．０３～０．４５Ｗｔ－％范围的Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３晶体的偏振激发光谱，荧光光谱和吸收光谱的测量，从实验上确信，Ｔｉ３＋在Ａｌ２Ｏ３基质晶体中不易形成Ｔｉ３＋离子对。并且发现，随着......
新的光折变晶体──掺铈钛酸钡在６０年代，美国的贝尔实验室用铌酸钾晶体进行倍频实验时，首次观察到了光折变现象。光折变效应是指在光场......
通过对Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３晶体的不同取向的电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究，认为在９３Ｋ温度下观测到的ｇ＝２．００的强烈各向异性的共振线是来自于Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３晶体中的Ｔｉ３＋离子２Ｔ２ｇ能态的中间能级１Ｅ１／２的顺磁......
Ｂｉ（１２）ＴｉＯ（２０）（ＢＴＯ）晶体属于Ｓｉｌｌｅｎｉｔｅ结构，它与Ｂｉ（１２）ＳｉＯ（２０）（ＢＳＯ），Ｂｉ（１２）ＧｅＯ（２０）（ＢＧＯ）晶体在结构和性能上具有许多相似之处．由于Ｂｉ（１２）ＴｉＯ（２０）晶体是非一致共熔化合物，因此，在其晶体的生长过程中，必须使用过量的Ｂｉ２Ｏ３作自溶......
采用坩埚下降法生长了Ｃｒ３＋∶ＬｉＳｒＡｌＦ６（Ｃｒ∶ＬｉＳＡＦ）晶体。以功率为９００ｍＷ，波长为４８８ｎｍ的单线氩离子激光泵浦６ｍｏｌ％的Ｃｒ∶ＬｉＳＡＦ晶体，实现了Ｃｒ∶ＬｉＳＡＦ激光器的飞秒级自锁模运转，得到了脉冲宽度为......
荷兰研究人员最近在由二氧化钛（Ｔｉ２Ｏ２）中的空气球构成的光子晶体内实现了已很接近光子带隙的特性。从事这项研究的阿姆斯特丹大学的Ｗ．Ｌ．Ｖｏｓ等人说......
一、前言众所周知,锑化铟(InSb)是一种直接的小禁带宽度半导体。其禁带宽度在室温下为0.17电子伏,当用液氮冷却时,可展宽到0.23电......
报道了利用各种不同的光折变晶体作为位相滤波器，实现位相型物体的可见和振幅型物体的对比度周期性反转等结果，井给出广统一的理论分......
对压敏器件用低阻NTD CZ Si(直拉硅)的深辐照工艺进行了研究,主要包括三个方面内容:(1)配合自然单晶生长工艺的改进,对CZ与FZ单晶......
本文根据晶体缺陷理论,通过对钇铝石榴石多晶体掺杂不同计量的Mg2+,研究晶体结构的改变对YAG:Ce3+荧光粉结构及发光特性的影响......
激光掺杂形成P—N结是近年来出现的一项新技术，对制造核探测器将会显示出巨大的优越性。本实验采用高阻区熔硅单晶片，经常规清洗后在......
硅变容二极管在较高的中子注量辐射下，电调谐特性几乎完全损失，主要原因是中子辐射在P[*+*]N耗尽区N的一边引入深俘获能级，俘获N区施......
摘 要：B和P是太阳能级多晶硅中的主要非金属杂质。本文利用第一性原理计算方法，基于VASP软件计算Si晶体中依次掺杂B、P原子，不同掺杂......
研究了系列Ce∶Fe掺杂以及不同后处理态 (生长态、还原态和氧化态 )铌酸锂晶体的透过率光谱和光折变全息存储特性。实验结果表明单......
Influence of y-Irradiation on the Optical Properties of Pure or Impure Zn, Cd and Ge-Doped Layered I
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1. Introduction?? GaSe layered crystals are related to A3B6 binary compounds. Due to the sharp anisotropy of their ch......
Calculation of Electronic Structure of Anatase TiO2 Doped with Transition Metal V, Cr, Fe and Cu Ato
The electronic density of states and band structures of doped and un-doped anatase TiO2 were studied by the Linearized A......
