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在氮气环境下用PVT方法生长氮化铝过程中,氮面和铝面由于表面化学性质不同,生长的主要化学反应速度存在差异。原子在生长表面的迁......
日立制作所和日本东北大学共同开发出了在蓝宝石底板上制备石墨烯的技术。可利用气相生长法,以600~700℃的较低温度,通过控制层数......
聚合物材料多为半晶态,晶畴和非晶畴共存.采用扫描探针显微术的力调制技术, 成功区分出聚合物薄膜P(VDF-TrFE)中存在的弹性性质相......
晶界是化学气相沉积(CVD)方法制备的大面积石墨烯薄膜中普遍存在的缺陷。深入理解晶界对石墨烯的电学和热学性质的影响对发展基于石......
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