物理气相传输相关论文
p型4H-SiC是制备高功率电力电子器件的理想衬底材料，但由于工艺技术的制约，国内尚无能力生产高质量、大尺寸、低电阻的p型4H-SiC单晶......
大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport,PVT)法是目前生......
在氮气环境下用PVT方法生长氮化铝过程中,氮面和铝面由于表面化学性质不同,生长的主要化学反应速度存在差异。原子在生长表面的迁......
在碳化硅(SiC)衬底上通过物理气相传输(PVT)法制备出氮化铝晶体。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微(SEM)和能量色散光谱(EDS)等手......
氮化铝(AlN)是第三代宽禁带半导体材料之一,具有宽带隙、高熔点、高临界击穿场强、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异性质,主要应用......
利用窄禁带半导体硒化铅的可饱和吸收性质,通过物理气相沉积法和光纤探针转移,优化工艺制备硒化铅可饱和吸收体器件,搭建不同波长......
氮化铝(AlN)是第三代宽禁带半导体材料之一,具有宽带隙、高熔点、高临界击穿场强、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异性质,主要......
作为第三代宽禁带半导体材料的代表,氮化铝(AlN)晶体具有宽带隙,高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及高抗辐射能力等优点,在......
作为第三代半导体材料，AIN和GaN在光电子和微电子领域具有极大的应用前景。但是，由于其独特的物理化学性质，大尺寸、高质量的AIN和GaN......
近日，西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培口在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功制备出多晶致密碳化硅陶......
日前，西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所用物理气相传输法成功制备出多晶致密碳化硅陶瓷材料，首次在不需添加烧结助剂的......
氮化铝（AlN）是一种重要的宽带隙（6．2eV）半导体材料，在高温、高频、大功率电子器件、光电子器件、激光器件等半导体器件中有着良好的应用......
研究了物理气相法制备AlN晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和......
使用物理气相传输方法（PVT）制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理。使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱（LTPL）和......
本刊讯日前，西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赞在杨建锋教授指导下，用物理气相传输法成功制出多晶致密碳化......
据悉，西安交通大学材料科学与工程学院先进陶饶研究所博士生戴培赞在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功制备出多晶致密碳化硅陶......
本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、......
针对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)晶体过程,建立了一个电磁感应、传热传质数值模型来研究SiC晶体生长炉内的磁感应场与热场......
基于有限元数值计算方法,对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)晶体过程中籽晶托、坩埚侧壁、轴向温度梯度三个因素导致的热应力......
使用物理气相传输方法（PVT）生长出3英寸4H-SiC单晶。在生长过程中通过在粉料表面放置分布有多个贯穿孔的石墨片,在粉料表面有意引入......
通过物理气相传输（PVT）法在石墨系统中制备了绿色、无色和琥珀色氮化铝（AlN）单晶,在金属系统中制备了琥珀色AlN单晶。晶体中杂质含量测......
通过在钨坩埚盖开小孔的方法改变氮化铝结晶衬底上的温度场分布,在开孔处形成局部低温区;由于孔的几何尺寸的限制和氮化铝晶体生长......
在氮化铝晶体生长工艺中,坩埚的使用寿命是主要技术难点之一。实验发现,在钨坩埚体和盖之间放置内径和外径与坩埚相同的石墨环,在......
本文采用物理气相传输法(PVT)及同质外延工艺,在自发生长的6 mm×7 mm AlN籽晶片上,通过4次迭代,成功生长出高质量1英寸AlN单......
采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶。结合碳化硅邻位面生长机制,通过优......
以高纯氧化锌粉为升华源，采用物理气相传输法（PVT）法在1500℃下生长出了ZnO多晶体，生长速率达0．24mm／h。样品XRD测试和拉曼分析表明，无籽......
针对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)晶体,建立了一个二维生长动力学模型研究SiC生长腔内气相组分输运特性,该模型考虑了氩气......
