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栅氧退化相关论文
栅氧退化效应下纳米级SRAM单元临界电荷分析
集成电路工艺已经发展到纳米量级。在纳米级工艺下,芯片集成度不断提高,电压不断降低,软错误问题已经开始对地面的集成电路产生影响。......
期刊
栅氧退化
软错误
SRAM单元
临界电荷
软错误率
gate-oxide degradation soft error SRAM cell critica
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