外延层厚度相关论文
InP及其三元,四元化合物材料,在微波器件和光电器件中的应用日益广泛,但是,目前尚缺乏一个简便的方法同时测量生长材料的载流子浓......
本文报道用水平滑舟系统液相外延制备n~+InSb/PHg_(1-x)Cd_(?)Te异质结.该异质结外延层厚度在15～25μm之间,由电镜扫描分析出外延层......
本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响,并且在结构参数变化的......
在双台面SiGe HBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区......
8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻......
硅外延片材料是当代大规模集成电路和其他半导体硅器件的基础功能材料,直接支撑了电子信息技术产业的发展。其中,薄层硅外延在半导......
通过理论计算,对VDMOS器件的外延层厚度和掺杂浓度进行了优化设计,探讨用于VDMOS的外延工艺,讨论了外延层厚度和过渡区的测试方法,......
介绍了一种利用层错无损测量4H-SiC半导体材料外延层厚度的方法。该方法是根据4H-SiC同质外延生长中堆垛层错(stacking fault,SF)......
作为半导体硅器件和集成电路中经常会使用的一种基础功能的材料,硅外延片的性能非常优越,是我国电子信息技术产业发展过程中经常会......
制做N沟道VDMOSFET器件的材料的两个关键参数是材料外延层电阻率和外延层厚度,在VDMOS器件的开发研制和生产过程中快速准确地选择......
