椭偏谱相关论文
用XeCl准分子激光器对氢化非晶硅（a－Si：H）薄膜进行了诱导晶化处理。测量了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Bruggeman有效介质近似（B－EM......
采用新型的两步激光晶化技术在玻璃衬底上制备出性能良好的多晶硅薄膜 ,并制作了多晶硅薄膜晶体管 ,其迁移率为 10 3cm2 /V·s ,开......
首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性。研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２和Ｅ２临界......
采用新型的两步激光晶化技术在玻璃补底上制备出性能良好的多晶硅薄膜，并制作了多晶硅薄膜晶体管，其迁移率为１０３ｃｍ＾２／Ｖ·ｓ，开关态电流比为１&#......
用ＸｅＣｌ准分子激光器对氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜进行了诱导晶化处理。测定了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Ｂｒｕｇｇｅｍａｎ有效介质近似（Ｂ－ＥＭＡ）分析了结晶膜的微结构......
在室温和液氮温度(77K)下用蒸镀法在Si(111)衬底上制备C60薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)研究两种不同基底上制备薄膜的微观结构,并用......
把离子注入层设想成由50多层的微分薄层构成,用以研究BF2+的分子效应。我们在1.6—5.0eV光子能量范围内,测量了不同剂量也(3×1013......
