本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究 .正向栅控二极管技术简单、准确 ,可以直接测得热载......

该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......

报道了用新的正向栅控二级管技术分离热载流子应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱和界面电荷的理论和实验研究，理论分析表明：由于正向栅控......

使用半导体器件数值分析工具DESSISE－ISE，对正向栅控二极管R－G电流表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区进行了详尽的研究，数值分析表明，......

报道了正向栅控二极管R－G电流法表征F－N电应力诱生的SOI－MOSFET界面陷阱的实验及其结果。通过体接触的方式实现了实验要求的SOI－MOSFET......