界面电荷相关论文
换流变压器是高压直流输电系统中不可代替的关键核心装备之一,其绝缘性能的可靠性对直流输电系统的安全运行至关重要。目前,换流变......
当前,挤包绝缘高压直流电缆及附件的国产化需求已迫在眉睫,长期限制其绝缘发展的难题为空间/界面电荷积聚问题,该问题是导致绝缘失......
为提高大功率晶闸管使用的可靠性,芯片终端采用新型半绝缘层钝化代替传统绝缘层钝化,以避免界面电荷的积累。文章借助计算机辅助设......
由两种或多种不同电介质复合所组成的结构称为电介质异质结构,而相互接触的界面则称为电介质异质界面。电介质异质结构在极化时,其......
近几年来,有机无机杂化钙钛矿太阳能铁电池由于优异的光吸收系数,直接可调带隙半导体,长的载流子扩散长度以及可溶液法加工等,引起......
换流变压器是高压直流输电系统中的关键装备,其绝缘性能的安全可靠对直流输电系统的稳定运行至关重要。目前,换流变压器的绝缘设计......
换流变压器是高压直流输电系统中的关键设备之一,其阀侧绕组油纸绝缘在运行过程中要承受直流电压作用,而直流电场分布及过渡过程复......
有机-无机钙钛矿太阳能电池因为其低成本易制备高效率等特点,在过去的几年中引起了广泛关注,进一步提高其效率和稳定性是研究工作......
聚合物绝缘能否成功应用于高压、超高压直流绝缘中，关键在于能否解决聚合物内部积聚的空间电荷问题。多年来，国内外众多学者都在积极......
IGBT是我国在高铁、汽车动力系统、家电等领域实现自主可控的核心功率半导体器件，通过近10年来的不懈努力，进行工艺技术和设计技术的......
低温溶液法的有机-无机钙钛矿光伏器件由于它卓越的性能吸引了全世界的关注,有机-无机钙钛矿由于它的载流子寿命长和光伏效率高,所......
首次提出一种新的具有双面界面电荷岛结构的SOI高压器件(DCI SOI)。该结构在SOI器件介质层上下界面分别注入形成一系列等距的高浓......
采用LMTO ASA能带计算方法 ,研究 (Si2 ) 3(2Al) 6 (0 0 1 ) ,(Ge2 ) 3(2Al) 6 (0 0 1 ) ,(Ge2 ) 3(2Au) 6 (0 0 1 )和 (Ge2 ) 3(2......
期刊
研究了辐照对4H-SiC纵向双注入金属氧化物场效应晶体管(VDMOS)电学参数的影响.通过SRIM和SILVACO软件仿真,观察到器件不同区域引入......
通过量化计算研究了阴极材料（金属Al、合金Mg：Ag和复合层LiF/Al）与OLED器件有机层界面电荷聚集之间的关系。结果表明,界面电荷聚集与......
基于求解二维Poisson方程，分析了具有埋氧层界面电荷的SOI结构纵向击穿特性，提出了界面电荷耐压模型。该模型通过埋氧层界面电荷来调......
采用金属Al、合金Mg:Ag以及复合层LiF-Al作为阴极材料,利用真空加热蒸镀法制备了异质结有机发光器件(OLED),研究了阴极材料与器件......
提出了部分局域电荷槽SOI（partial locating charge trench SOI，PTSOI）高压器件新结构．该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷，此电......
表面与界面电荷性质是纳米材料制备及其应用中应该考虑的重要问题. 详细了解纳米材料的尺寸与表面电荷性质之间的关系是纳米科学研......
高压直流输电系统出现潮流反转时,换流变压器的油纸绝缘会承受极性反转电压,容易造成绝缘失效。基于油纸沿面绝缘结构的极性反转闪......
直流电缆附件绝缘和电缆绝缘的界面同时承受着沿着电缆径向的体电场和沿电缆轴向的界面电场,这两个电场在方向上相互正交,在界面上......
分析了n沟6H-SiC MOSFET的杂质不完全离化和SiO2-SiC界面存在大量界面陷阱等问题,研究了影响6H-SiC MOSFET器件阈值电压温度特性的......
测得AlN和Si3N4介质钝化后的AlGaN/GaN异质结的高频C-V（电容-电压）曲线,由此计算钝化层与AlGaN势垒层界面电荷面密度,发现AlN钝化层......
高压直流电缆伴随着柔性直流输电技术的发展而得到广泛应用,其中电缆附件是高压直流电缆系统中绝缘最薄弱的环节,不同介质界面处空......
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SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit, HVIC)凭借高速、高集成度、高可靠性、抗辐照和良好的......
与传统的肖特基栅HEMT相比,GaN基绝缘栅HEMT器件可以有效减小栅极泄漏电流,在高效微波功率放大器、高压开关等应用中具有广阔的应......
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首次提出了一种新的采用E-SIMOX技术的界面电荷岛结构的PSOI高压器件（NI PSOI）。该结构在SOI器件介质层上界面注入形成一系列等距的......
近20年来,交联聚乙烯(XLPE)绝缘电缆因其重量轻、工作温度高、输送功率大等优点而在高压直流(HVDC)输电工程中得到广泛应用与发展......
第三代宽禁带半导体SiC材料因具有良好的电学和物理特性而被广泛地研究和应用。和传统的Si、Ge相比,高的临界击穿电场和更高的热导......
高压直流输电系统出现潮流反转或电压陡变情况,换流变压器的油纸绝缘会承受极性反转电压,往往容易造成绝缘失效。为研究此过程中油......
在交直流复合电场下,换流变压器的油纸界面会积聚电荷,使得油纸界面的电场发生畸变,容易引发沿面放电。为揭示交直流复合电场下油......
探索交直流复合非均匀电场下的油纸绝缘界面电荷特性,可为换流变压器绝缘设计提供依据。利用针板电极模拟空间电荷积聚产生的非均......
建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET......
在远距离大容量输电、跨海输电及电网联络等方面,高压直流输电与交流输电相比有许多独特的优越性而得到了快速发展。换流变压器是......
界面是决定纳米复合介质介电性能优劣的关键因素之一。弄清纳米复合介质中是否存在界面荷电现象,找到纳米粒子本身的结晶行为,表面......
换流变压器是高压直流输电系统的重要设备之一,其绝缘的安全可靠对整个直流输电系统的稳定运行至关重要。换流变压器在直流输电系......
SOI(Silicon On Insulator)即“绝缘体上的硅”被称为二十一世纪的硅集成技术,其独特的结构带来隔离性能好、漏电流小、速度快、抗......
SOI（Silicon On Insulator）高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit,HVIC）因其隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低和抗辐照......
高效率的把太阳能转化为电能是解决人类能源危机最有效和最直接的途径之一,因而将太阳光转化成电能的光伏产业近年越来越受到人们......
AlGaN/GaN异质结由于极化效应在异质结界面靠近GaN侧产生了高浓度、高电子迁移率的二维电子气导电沟道,使得AlGaN/GaN HEMT器件具......
SOI(Silicon On Insulator)横向功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)是功率集成电路的核心器件,实现......
SOI(Silicon On Insulator)高压器件因为其独特的一些优点在近年来得以快速的发展。随着对其的不断研究与应用,新的问题也随之而来......
