界面陷阱相关论文
金属-氧化物结是电子器件基本组成部分之一。一般来说,由于金属功函数和氧化物电子亲和能的不同,在金属-氧化物界面会形成肖特基势......
近些年来,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）于高温高功率等场合应用广泛,但是由于器件的欧姆电极热稳定性、直流性能退化、界面陷......
SiC因其优越的电学特性，已发展成为高压功率器件领域的翘楚。然而，SiC与SiO2界面存在高密度界面态，使得SiC MOSFET沟道迁移率远低于Si......
期刊
碳化硅（SiC）具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和漂移速度等特性,是适宜制备功率器件的优异半导体材料。Si C MOSFET器件是适......
光电探测器作为智能光电系统的重要组成部分，已经引起了多学科领域的极大关注。光电倍增对于高灵敏光电探测器来说是理想的；它可以避......
基于氮化镓(Ga N)材料及异质结构的优异特性,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有电流密度大、工作电压高、频率快等特点,因而......
随着集成电路领域的日益发展,芯片集成度不断提高的同时MOSFET器件尺寸也在不断缩小。当今,尺寸缩小所带来的功耗增大问题变得越来......
低剂量率辐照损伤增强效应(Enhanced Low Dose Rate Sensitivity,ELDRS)影响星用电子器件的使用寿命,主要研究手段为地面辐照实验......
伴随着在军事领域对高性能、低成本红外技术的需求地不断更新,作为红外技术的先导和核心的红外探测器在历经了半个多世纪的研究和......
SiC MOSFET凭借其材料独特而优异的结构和性能在大功率、高温高频等应用领域发挥着重要的作用，但由于其高浓度的陷阱，导致了器件的栅......
本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实......
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠......
报道了正向栅控二极管R-G电流法表征F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱的实验及其结果．通过体接触的方式实现了实验要求的SOI-MOSF......
研究了在30V的直流偏压下,对PECVD工艺制备的SiOxNy薄膜进行电子注入,并结合俄歇谱和红外光谱对实验结果进行了讨论。结果表明,薄......
利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶......
采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级富氮 Si Ox Ny 薄膜界面陷阱的物理模型。证实了 PECVDSi Ox Ny 薄膜中界面陷阱来源于悬挂键......
本文利用Silvaco软件对GaN共振隧穿二极管（GaN RTD）进行仿真，重点考虑了界面陷阱密度对GaN RTD量子阱性能及负阻特性的影响。结果显示......
对超深亚微米PMOS器件的负栅压温度不稳定性(NBTI)退化机理进行了研究.主要集中在对器件施加NBT和随后的PBT应力后器件阈值电压的......
研究了SIMOXSOI器件的电学特性 .发现在众多的MOSFET中 ,输出特性曲线的低漏压端都出现了“鸟嘴”形畸变 ,表现在转移特性曲线上便......
基于界面陷阱的定义,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它......
基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照......
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS......
在宽范围偏置条件下,测量了电应力前后GaAlAs红外发光二极管(IRED)的低频噪声,发现应力前后1/f噪声随偏置电流变化的规律没有改变,......
从氧化层俘获空穴和质子诱导界面态形成的物理机制出发,建立部分耗尽SOI器件总剂量辐射诱导的氧化层陷阱电荷和界面态物理模型,模......
利用二维器件仿真软件MEDICI建立了具有指数分布界面陷阱的n沟6H-SiC场效应晶体管的结构模型和物理模型,通过模拟研究,分析和讨论......
研究金属氧化物场效应晶体管nMOSFET中界面陷阱引发的产生电流的电容特性,基于产生效应生成的泄漏电流实验曲线提取电容曲线,发现......
在电荷泵技术的基础上，提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对pMOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的......
在PMOSFET上施加负栅压和高温应力后,出现的NBTI效应是超深亚微米MOS器件中重要的可靠性问题之一.研究了NBTI效应对PMOSFET器件参......
为了更好地评估碳化硅（Silicon carbide,SiC）MOSFET在功率变换装置中的性能,需要建立精确的SiC MOSFET模型。针对传统的SiC MOSFET的......
建立了新颖的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型.在常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型的基础上,......
界面陷阱会显著影响探测器的瞬态特性，为揭示其内在机理，并为探测器设计提供借鉴，基于二维仿真开展了背照式光伏型InSb红外探测器瞬态......
CMOS器件尺寸越来越小，栅介质厚度持续减小，负偏压温度不稳定性（NBTI）成为制约器件可靠性及寿命的最主要因素之一。然而，NBTI机理一直处......
随着器件尺寸的不断减小，PMOS器件NBTI（Negative Bias TemperatureInstability）效应变得愈发明显，对CMOS器件和电路可靠性的影响也愈发......
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随着CMOS超大规模集成电路的发展，NBTI（negative bias temperatureinstability）效应作为CMOS技术中最主要的可靠性问题之一，由于器件等......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
本文对SiH_4-N_2系PECVD氮化硅-硅界面陷阱进行了研究.结果表明:MNS结构的C-V特性有滞后效应,滞后宽度随测试条件而变化;界面陷阱......
随着MOSFET尺寸的不断缩小,器件的功耗问题和可靠性问题成为制约集成电路发展的重要因素。为了降低集成电路的功耗,隧穿场效应晶体......
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件......
对经 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的不同介质膜 InPMIS结构样品的界而陷阶进行了研究.样品介质膜的生......
本文利用Silvaco软件对Ga N共振隧穿二极管(Ga N RTD)进行仿真,重点考虑了界面陷阱密度对Ga N RTD量子阱性能及负阻特性的影响。结......
在锑化铟(InSb)材料生长过程中,InSb表面会存在悬挂键、杂质等缺陷;在红外焦平面阵列制作过程中,感应耦合等离子体刻蚀(ICP刻蚀)、......
学位
高介电常数栅介质材料在集成电路金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件和宽禁带半导体功率器件中的作用极其重要。当器件特征......
高K栅GaAs MOSFET器件结合了GaAs材料高电子迁移率和高K栅介质低漏电的优势,有望成为未来延续摩尔定律的新方向。但是高K/GaAs界面......
由于势垒高度有限、表面缺陷等原因而导致的栅漏电问题限制了AlGaN/GaN HEMT器件在高温、高频和高功率工作时的可靠性。随后出现的......
本论文主要研究了高性能复合栅绝缘膜的制备及性能测试。实验中使用具有不同介电常数的两种材料：聚甲基丙烯酸甲酯与偏氟乙烯-三氟......
MOS器件（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-MOSFET）的特征尺寸已经降到32nm以下,器件的沟道电容、工作电压、漏极......
