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本文利用Ar~ 激光倍频257.3nm进行扫描蚀刻Si、GaAs和Zn片,获得的最小光刻线宽为1.2μm,给出蚀刻深度与光强/扫描速度的关系曲线等......
5-硝基二氢苊的光氧化作用在无显影气相光刻中起着重要作用。我们通过红外,核磁共振、色质联用等手段对其光氧化产物进行了分析,并......
研究了聚合物在无显影气相光刻地过程中的作用，由此解释了无显影气相光刻过程中曝光区和非曝光区高腐蚀速度差，高分辨率和高腐蚀纵宽......
大功率半导体器件是机电一体化不可缺少的基础元件，光致诱蚀无显影气相ＤＦＶＰ光刻具有分辨高、钍孔密度低、光刻流程短、设备简单、经济上......
