气相淀积相关论文
根据非平衡热力学耦合模型理论首次计算得到了碳氢氮体系的金刚石生长的非平衡定态相图，与近几年在国际上发表的该体系实验结果相符......
利用金属有机化合物气相外延(MOVPE)设备进行了GaP/GaAs、AlGaP/GaAs、AlGaP/GaP/GaAs、ZnO/GaAs、ZnO/Si等本征或掺杂异质结构材......
该文采用光Ⅰ-Ⅴ法、雪崩热电子注入、俄歇电子能谱(AES)分析和红外光谱分析研究等离子体化学相淀积方法(PECVD)低温制备的富氮SiO......
该文研究了用作薄介质栅的等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法低温形成的SiON薄膜与其击穿电学特性,探索该薄膜击穿电学特性与微观......
该论文在P型GaN,InGaN/GaN多量子阱研究及计算,InGaN/GaN多量子阱LED;白光LED方面开展了一系列研究工作.1.针对P型氧化物材料获得......
现在人们研究的非平衡等离子体大多是在低气压（1.33 Pa～1.33 kPa）、低质量流量条件下,由射频（13.5 MHz）、微波（2450 MHz）以及交、直流高电......
基于化学气相（CVD）合成超细粒子过程的反应、成核、生长和凝并,考虑CVD反应器中的轴向温度分布,建立了CVD反应器中描述超细粒子粒度......
本文研究了以SiH_4为气源,常压下化学气相淀积(APCVD)非晶态硅薄膜的光电特性及工艺参数的影响。通过与辉光放电a-Si:H膜的光电特......
本文通过实验研究,讨论了实验参数对衬底表面形貌和MOCVD生长样品质量的影响,与文献所给实验条件进行了比较。......
阐述对半导体行业等离子化学气相淀积设备干扰的基本发生源头，干扰现象以及设备维修人员在维修过程中抗干扰应采取的措施。......
本文给出了以WF_6或WCl_6为钨源,以硅烷或氯硅烷为硅源的硅化钨气相淀积体系的热力学研究结果。结合实验,讨论了热力学结果对实验......
本发明包括一种用于形成物理气相淀积靶和支撑体的组件的方法。提供了一种物理气相淀积靶。该物理气相淀积靶具有＜10×10^-6K^-......
采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性....
探讨了回转炉化学气相淀积（ＣＶＤ）包覆新工艺，利用Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４水解，在Ａｌ２Ｏ３粒子表面实现了ＴｉＯ２包覆，研究了包覆过程特征。结果表明，ＴｉＯ２在Ａｌ２Ｏ３粒子表面的包覆是成功的，并具有......
基于气溶胶动力学和化学反应动力学,建立了化学气相淀积(CVD)反应器中普适动力学方程,导出了CVD反应器中超细颗粒粒径分布谱函数和......
通过引入轴向反应源转化率η(x)和径向反应源转化率η_f(ρ),分别导得了淀积速率在卧式反应器中沿轴向及径向分布的解析表达式.从......
本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜。研究了淀积和退火条件对薄膜性质......
以金属有机化合物(MO)四甲基锡[sn(CH_3)_4]为源物质,利用等离子体增强化学气相沉积技术,分别在单晶硅片、三氧化二铝陶瓷基片上淀......
用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明，长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能......
文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。...
GT Advanced Technologies （GTAT）宣布向Kyma Technologies，Inc．收购其等离子体气相淀积（PVD）技术及专门知识的独家使用权。Kyma所开发的......
ＣＮＸ薄膜是一种新型的超硬膜。我们用等离子增强化学气相淀积法，制备了含氮量的２１ａｔ％的ＣＮＸ膜，并用俄歇电子探针，红外谱仪和拉曼光谱仪及Ｘ光衍射仪对......
