【摘 要】
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利用金属有机化合物气相外延(MOVPE)设备进行了GaP/GaAs、AlGaP/GaAs、AlGaP/GaP/GaAs、ZnO/GaAs、ZnO/Si等本征或掺杂异质结构材料的低压和常压外延生长.利用光学显微镜、扫
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利用金属有机化合物气相外延(MOVPE)设备进行了GaP/GaAs、AlGaP/GaAs、AlGaP/GaP/GaAs、ZnO/GaAs、ZnO/Si等本征或掺杂异质结构材料的低压和常压外延生长.利用光学显微镜、扫描电子显微镜、双晶X射线衍射仪、背散射分析等设备对以上异质外延材料的晶体结构完整性,如表面形貌、表面粗糙度、界面特征,以及与生物温度、Ⅴ/Ⅲ比等生长条件的关系进行了研究;采用四探针及范得堡方法对非掺杂和Al掺杂的ZnO外延层的电学性质,如电阻率、载流子浓度、霍尔迁移率,以及与生长条件的关系进行了研究.利用双光束分光光度计和剌曼光谱仪对以上外延材料的光学性质,如紫外及可见光区域的反射率、具有喇曼活性的光学声子振动模式等方面进行了研究.利用δ掺杂技术及隧道效应原理对镁掺杂GaP外延薄膜和甸锡氧化物(ITO)增强电流扩展作用的可行性进行了探讨.
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