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金刚石具有禁带宽度大,载流子迁移率高,热导率极高等优异的电学性能,使其成为制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件......
在半导体电子器件制备领域金刚石被誉为终极半导体材料。金刚石的禁带宽度为5.5 eV,热导率为22 W/(cm·K),击穿电场大于20 MV/cm,......
金刚石作为新兴的超宽带隙半导体材料的代表之一,具有载流子迁移率高、导热系数高等一系列优点。在金刚石材料研究方面,目前高品质......
利用氢微波等离子体溅射和浓酸中沸煮方法分别制备了氢、氧终端掺硼金刚石薄膜.借助X射线光电子能谱及接触角检测对两种终端薄膜表......
金刚石是一种超宽禁带半导体材料,由于其击穿电场高、热导率高、载流子迁移率高等特性,被认为是终极半导体,可应用于高温、高频率......
