氧化铟薄膜相关论文
氧化铟掺锡透明导电薄膜具有优异的光电特性,引起了人们的广泛关注。本文是以溶胶—凝胶法制备ITO透明导电薄膜及其微细图形为目的......
In2O3是一种重要的n型宽带隙半导体材料,具有较高的可见光透过率和红外反射率,主要应用于光电装置的透明导电薄膜。In2O3纳米结构......
稀磁半导体材料因其同时具有自旋和电荷两种自由度而成为近年来的研究热点。通过掺杂过渡金属元素,In203基半导体会具有良好的电磁......
氧化铟作为新型的气敏材料,得到广泛的关注,主要因为纯的氧化铟就对很多气体具有敏感性,并且通过掺杂处理还可以进一步改善气敏性......
氧化铟属于宽禁带半导体材料，化学稳定性强.近年来，随着对Sn掺杂In2O3薄膜(即ITO)的研究，因其具有低电阻率和高透光率特性，被广泛应用......
薄膜晶体管在有源矩阵寻址液晶显示器(AMLCD)中处于关键地位,它的研发历来是该领域研究中的重点。非晶硅薄膜晶体管(α-Si TFT)易......
氧化铟是宽禁带半导体材料,本文在室温下用蓝色激光照射氧化铟薄膜,利用THz-TDS系统研究了蓝色激光入射角度相同但激光强度不同和......
采用sol-gel法制备In2O3薄膜材料,研究了不同制备条件对薄膜电阻的影响;分别用XPS、XRD方法对材料进行了分析,确定了其结构和组成,......
