氮化铝粉末相关论文
以蔗糖(CHO)和硫酸铝(Al(SO))为原料.用碳热还原一氮化法合成了氮化铝偻末.实验发现,AlON是碳热还原一氮化反应的中间相,AlN是由Al......
A1N陶瓷导热性能好,介电常数和介电损耗小,无毒,耐高温和腐蚀,力学性能良好,是新一代半导体基片和电子器件封装的理想材料。但是A1......
氮化铝是一种用途广泛的材料，在热、电、光和机械等方面具有非常良好的综合性能。目前，制备氮化铝粉末的方法很多，其中直接氮化法和氧......
氮化铝陶瓷因具有高导热率、各种电性能优越、机械性能好、良好的化学稳定性等优点,可作为封装散热基板和电子元件制造的理想材料......
采用微波碳热还原法制备了氮化铝粉末，研究了铝源、碳源和添加剂对制备氮化铝粉末的影响.通过对所合成的产物进行XRD检测分析表明，氢......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
主要进行了碳热还原法制备氮化铝粉末扩大实验研究。研究了不同的铝源、碳源、氮化温度、保温时间、添加剂对合成氮化铝粉末的影响......
以硝酸铝(Al(NO3)3@9H2O)和葡萄糖(C6H1 2O6@H2O)为原料,利用碳热还原法制备氮化铝粉末,研究了尿素对前驱物的制备及前驱物氮化反......
氮化铝陶瓷由于其优异的导热性能,高的绝缘以及良好的力学性能,与半导体材料相近的热膨胀系数,耐等离子体侵蚀等特点,是半导体芯片......
<正> 一、前言 AlN粉末的合成已有很长历史,它问世于1862年,Geuther首次使用液相金属铝和气相氨直接氯化反应制成了氮化铝粉末,这......
AlN陶瓷导热性能好,介电常数和介电损耗小,无毒,耐高温和腐蚀,力学性能良好,是新一代半导体基片和电子器件封装的理想材料。但是Al......
从原料的准备、合成、二次除碳工艺三个部分介绍了碳热还原法合成氮化铝粉末的工艺过程，详细总结了该工艺几个关键步骤的研究状况，包......
氮化铝(AlN)是一种新型功能陶瓷材料,具有良好的热传导性能、可靠的电绝缘性能、较低的介电损耗和介电常数、以及与硅相接近的热膨......
研究了表面涂覆硬脂酸和吐温80对氮化铝粉末抗水化性能的影响。经过表面改性工艺处理的氮化铝粉末在20～60℃具有很好的化学稳定性,......
通过使用磷酸与磷酸二氢铝的配合使用,对氮化铝粉末表面进行改性。结果表明,通过改性后的氮化铝粉末,置于水中进行水浴加热至50℃......
采用碳热还原法制备了氮化铝粉末 ,探讨了不同的起始原料、反应温度、不同添加剂对合成氮化铝粉末的影响。采用XRD、SEM、化学分析......
主要讨论采用氧化铝还原氮化法来合成氮化铝(AIN)粉末。文中阐述了AIN陶瓷的优良性能和作为高温结构材料的广阔开发前景。论述合成......
海门市特种陶瓷厂与中科院上海硅酸盐研究所经过 1 0多年技术合作后 ,共同组建了南通申海氮化物有限公司 ,建立起科技成果快速转化......
以工业氢氧化铝和乙炔黑为铝源和碳源，采用碳热还原法制备了氮化铝粉末，讨论了煅烧方式和添加剂对制备氮化铝粉末的碳热还原反应的影......
研究了亚微米和纳米氮化铝粉末在不同温度下的水解行为,通过测定500nm和40nm的AlN粉末在不同温度水解时pH值随时间的变化,分析了粉......
高纯、细颗粒的氧化铝粉和高纯、超细碳黑粉按一定配比混合,加入一定量AlN扮作晶种,在碳管炉中通N2气进行合成反应。最终产物的化......
以氧化铝、碳黑、硝酸铝、葡萄糖为原料 ,采用 2种不同的工艺制备了氧化铝 碳黑和硝酸铝 葡萄糖 2种体系的原料混合物 ,研究了原......
