氮化稼相关论文
由于存在比较大的晶格失配和热失配，以蓝宝石为衬底的GaN外延层位错密度高，晶体质量差，阻碍了GaN基器件性能的进一步提高。降低GaN外......
在宽禁带半导体中,Ⅲ族氮化物InN、GaN以及AlN为直接带隙半导体,禁带宽度分别为0.7eV、3.4eV和6.2eV,它们的三元系合金材料也具有......
氮化镓(GaN)和氮化铟(InN)都属于Ⅲ/Ⅴ族直接带隙半导体,室温下禁带宽度分别是3.39eV和0.7eV。InN、GaN以及AlN(氮化铝)的合金可以......
