玻璃衬底相关论文
用Ｑ开关ＹＡＧ激光器的１．０６μｍ的脉冲激光在硅及玻璃衬底上沉积了氮化硼薄膜。做了ＳＥＭ，ＸＲＤ，红外透射谱和紫外一可见透射谱等测试。确认为六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）薄膜......
以纯度为99.99%氧化锌铝(w(Zn O)=98.00wt%,w(Al_2O_3)=2.00wt%)陶瓷靶为原料,利用直流磁控溅射法在普通白玻璃衬底上制备铝掺杂氧......
在2×10-3Pa真空度下,以酞菁铜(CuPc)、均苯四甲酸酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)为原料,通过控制三源单体的加入摩尔计量、加热时间......
利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以氮气为等离子体气源,硅烷为前驱气体在玻璃衬底上低温沉积了氮化硅......
采用射频等离子体增强化学气相沉积(radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition,RF-PECVD)技术在玻璃衬底上沉积......
本文报道用不同离子两步交换技术,在玻璃衬底上制作K~+离子交换掩埋波导的新工艺,它不要求施加外电场。用X射线能谱(XES)分析技术......
ZnO是一种非常重要的多功能直接带隙型宽禁带半导体材料。其禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。高的激子束缚能使得激子可......
提高太阳能电池的转换效率是降低光伏发电成本的有效手段。玻璃衬底能够反射大约10%的太阳光，通过在玻璃衬底表面镀制减反射膜，......
能源是国家发展的重要基石。随着社会的需求,可再生清洁能源成为发展的趋势。太阳能就是其中之一,它不仅储量巨大,同时又不需要消......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙半导体化合物材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能达到60meV,化学性质稳定,材料类型丰富,通过掺杂......
氮化镓(GaN)是Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体材料，晶体结构为六方纤锌矿结构，在室温下的禁带宽度为3.39 eV，在光电子和微电子领域的应用前景广......
用静态观察和动态观察两种方式分别对玻璃衬底及相关材料在液体里所形成的弯月面进行观察，并对其进行研究，了解弯月面形成过程的宏观......
本论文采用Sol-gel旋涂法，在普通玻璃衬底基底上制备了ZnO纳米薄膜，探究了凝胶的热分解过程、胶体浓度、前热处理温度(PHT)、后热处......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、......
提出一种基于玻璃的空气质量流量传感器,该传感器具有制造工艺简单、测试范围宽和抗流体冲击能力强的特点。通过CFD软件模拟了传感......
在PECVD法制备a-Si∶H薄膜材料基础上, 以XeCl准分子激光烧结为手段, 对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索, 利......
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电......
采用RF磁控溅射法在玻璃衬底和PET衬底上沉积了Al掺杂的ZnO（AZO）薄膜，衬底的直流偏压为0-50V。主要研究了薄膜的结构、光学和电学特性......
本实验通过在玻璃衬底上，采用溶胶-凝胶法制备K＋、Mg2＋共掺杂ZnO薄膜，固定K＋与Zn2＋摩尔比，改变Mg2＋的掺杂含量，实验表明随着Mg2＋掺杂量增加，薄......
在工业、汽车、医疗、通信、能源等各个领域均可以发现隔离器件的身影。隔离器件主要分为光电隔离器件、电容隔离器件以及变压器隔......
采用激光分子束外延技术,在玻璃衬底上制备了La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜,X射线衍射测量结果表明在玻璃衬底上生长的LSMO薄膜沿c轴......
VO2具有金属-绝缘体转变（MIT）性能,其M1相和R相之间的相变温度（TC）最接近室温,可应用在热致变色智能窗等节能领域,吸引了全世界范围的......
采用真空热蒸发法分别制备出柔性衬底和玻璃衬底ITO／TPD／Alq／Al结构有机电致发光器件（OLED）。利用原子力显微镜研究了玻璃衬底及柔性衬......
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法，在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓（GaN）薄膜。利用......
采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO:Ga薄膜,并使用XRD、SEM、UV-VIS和霍尔测试仪等测试手段分析研究了不同功率对ZnO:Ga薄膜的......
激光晶化是一种制作晶硅薄膜器件(如薄膜晶体管、太阳能电池)很有效的技术。展望了低温多晶硅薄膜的应用前景,详细介绍了近几年激......
微型机电系统技术在经过二十多年的研究后，逐步开始应用于传统工业领域。其中开发可应用于常规工业领域的微型传感器成为该领域的研......
利用中频磁控反应溅射技术在玻璃衬底上制备氮化铝（AlN）薄膜，并经退火处理。利用x-衍射和原子力显微镜分析了AlN薄膜的结构及表面形貌......
氮化镓(GaN)是Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体材料,晶体结构为六方纤锌矿结构,在室温下的禁带宽度为3.39eV,在光电子和微电子领域的应用前景......
氮化镓(GaN)和氮化铟(InN)都属于Ⅲ/Ⅴ族直接带隙半导体,室温下禁带宽度分别是3.39eV和0.7eV。InN、GaN以及AlN(氮化铝)的合金可以......
玻璃衬底多晶硅薄膜太阳电池因具有成本低廉、转换效率高以及性能稳定等优点引起了人们的广泛关注。详细阐述了玻璃衬底多晶硅薄膜......
