氮化钙相关论文
物质的制备、提纯和检验是高考命题的热点之一。主要的考查点有:物质的制备,物质的提纯,物质的检验,物质的鉴别,以及以上几个方面......
尝试了Si基上生长GaN外延层的一种新的缓冲层材料-阳极氧化铝.在Si(111)衬底上电子束蒸发铝膜,经阳极氧化后放入MOCVD系统中退火,......
GaN是一种具有广泛应用前景的光电子材料,但是,用于制造器件的GaN都是在不同衬底上外延生长得到的.在常用的Al2O3 和 SiC衬底上沿[......
Li3N、Mg3N2和 Ca3N2是高温高压下以hBN为原料合成cBN的催化剂.在实验中发现它们对常压高温下生成hBN的反应也表现出催化作用.对比......
基于热力学平衡和化学平衡理论,针对电子回旋共振金属有机化学气相沉积(ECR-MOCVD)系统生长GaN的特点,给出了化学平衡模型和理论分......
应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中 ,在经过800?℃,1?h的退火后,获得高空穴载流子浓度(8.28×1017?cm -3)的P-型GaN.首......
综述了ＧａＮ，ＡｌＮ及其固溶体等Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体材料的结构，性能与ＭＯＣＶＤ生长技术，并着重阐明其研制，开发现状及应用前景。......
从1952年起在伏龙芝第三门诊部用氯化钙皮内注射以治疗支气管性气喘病人。在我国和国外的文献上我们没有找到关于此问题的专门论......
