功率半导体作为电力电子行业的核心技术领域,其技术发展极大地影响着国民经济的各个方面.本文基于专利数据统计分析,探究氮化镓半......

氮化镓(GaN)是一种性能非常优异的宽禁带半导体材料，具有优良的光学、电学性质，且热稳定性和机械性能好，在光电子和微电子器件等方面......

GaN是一种宽带隙(禁带宽度是3.4 eV)半导体材料，其化学和物理稳定性好，具有电子饱和迁移率高、临界雪崩击穿电场强度大、热导率高、......

GaN是一种宽带隙(Eg=3.4 eV)半导体材料，具有优越的光学、电学和机械性质，热稳定性高，化学稳定性好，在光电子和微电子器件等方面具有广......

氮化镓(GaN)是一种优异的宽禁带半导体材料，具有良好的光电性质和热稳定性，是制作蓝、绿发光二极管(LED)，激光二极管(LD)和高温、高功......

GaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料，其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文通过实验研究和计算模拟，考察研......

采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进......

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宽禁带材料的研究及应用越来越受到人们的重视,像以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料、石英玻璃(SiO2)材料都是研究的热点领域......