非平衡格林函数法相关论文
自旋电子学器件由于其有较小的单元尺寸,更低的功耗和新兴的电荷—自旋集成功能,因此可能成为超越摩尔定律物理极限的下一代电子器......
GaN是一种宽带隙(Eg=3.4 eV)半导体材料，具有优越的光学、电学和机械性质，热稳定性高，化学稳定性好，在光电子和微电子器件等方面具有广......
拓扑绝缘体是指元素周期表中Ⅴ-Ⅵ族的化合物（尤其是Ⅴ2Ⅵ3型化合物），包括Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3及以此为基础的合金材料，由于这些材......
近年来，分子电子学的发展取得了巨大的进步，尤其是微观表征和操控技术的快速发展，极大地提高了分子器件的研究能力，可在纳米尺度观察研......
本文利用Landauer-Büttiker公式结合非平衡格林函数法研究了拓扑绝缘体HgTe/CdTe量子阱中的Seebeck效应和Nernst效应. 首先研......
应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的......
利用紧束缚近似的非平衡格林函数法,研究了含Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合效应的双阶梯型量子线中电子的自旋电导开关效应.结......
近20年来,对量子计算系统物理实现的研究越来越受到人们的广泛关注。近期逐渐兴起的拓扑量子材料相关技术理论发展快速,极大推动了......
采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法（Non—equilibrium Green functions，NEGF），对耦合于两个面心立方间的A1（111）电极间的（8，0）碳纳米......
锡烯在拓扑超导和反常霍尔效应等方面具有出色的性能而受到关注,基于第一性原理和非平衡格林函数法,研究了边界氢钝化的扶手型锡烯......
