采用金属有机化合物气相淀积法（MOCVD）在蓝宝石上生长InxGa1-xN／GaN晶体薄膜，GaN缓冲层的厚度为2．5μm，InxGa1-xN晶体薄膜的厚度大约800n......

直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成.在电子显微观察的电子辐照条件下,这些N 空位将进一步凝聚,形成一个......