铝镓氮相关论文
覆盖UVC波段的AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）具有环保、节能、安全等特点,能够替代传统汞灯光源,在空气杀菌、水消毒净化、食物......
描述了基于AlGaN日盲紫外焦平面成像系统的硬件和软件设计,实现了对320×256阵列的AlGaN日盲紫外焦平面探测器输出信号的采集、图......
得益于异质结结构，AlGaN/GaN HEMT成为当前最具发展潜力的射频、微波器件之一。因其大电流增益、高截止频率、强驱动能力、低相位噪......
AlGaN是制备深紫外光电器件和电子器件的重要材料. 随着Al组分的增加, AlGaN材料表面容易出现局域组分不均匀的相分离现象, 进而影......
期刊
随着微波系统的发展，对固态功率放大器件的性能要求越来越高，现有的GaAs功率器件已经越来越不能满足系统的要求。作为下一代固态微波......
专题报告数字射线照相技术在无损检测中的应用EricDeprins(比利时)主旨报告日本科技政策、智能材料及其结构TeruoKishi(日本)超声......
AlGa基紫外探测器具有量子效率高,工作电压低并能够通过调节组分改变相应波段,在用于多光谱成像时能减少滤光片的使用,提高系统效......
利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学......
期刊
研制一种以薄的高阻AlGaN覆盖层作为肖特基势垒增强层的N?AlGaN基金属?半导体?金属（MSM）日盲紫外光电探测器。与无覆盖层的参考器件......
GaN有较GaAs更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率,AlGaN/G aN异质结构不仅具有较GaAs PHEMT中AlGaAs/I......
感应耦合等离子体（ICP）刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用，初步研究了Cl2／Ar／BCl3ICP刻蚀对A1GaN材料的损伤。运用X射线光......
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发，研究了AlGaN／GaN量子阱电子气密度随Al组份比、势垒层厚度和栅压的变化，比较了能带带阶和极化电......
介绍了一种便携式电晕放电检测紫外相机的设计方案。该相机选用320×256元A1GaN基“日盲”紫外焦平面作为探测芯片，其波长范围......
利用异质外延技术在蓝宝石衬底上生长了GaN光电发射层,为降低发射层和衬底间的失配,在衬底和发射层间分别采用了AlN和Al1-x GaxN两......
报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm（3英寸）SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOC......
制备了与A1GaN／GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构，测量了器件的变温电流一电压特性，研究其在正向与反......
Ⅲ类氮化物半导体的发光过程主要取决于Γ点（k=0）处的能带结构,因为纤锌矿AlxGa1-x N的导带是一种类s轨道,具有完全对称性,纤锌矿Alx......
感应耦合等离子体（ICP）刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了ICP与RIE，ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上，采用Ni......
从自洽求解薛定谔方程和柏松方程出发，研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化。发现异质结量子阱能把外电场屏蔽在异质界......
直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成.在电子显微观察的电子辐照条件下,这些N 空位将进一步凝聚,形成一个......
紫外探测技术在军用和民用领域均有着广泛应用,第三代宽禁带半导体材料AlGaN具有击穿场强高、热导率大、耐高温、抗辐照等特点,由......
文中简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,并粗略介绍了紫外探测的部分应用.然后对Ⅲ族氮化物宽禁......
采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料。通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生......
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长......
铝镓氮(AlGaN)是第三代新型宽禁带半导体材料的重要代表之一,其禁带宽度可以在3.4eV(GaN)到6.2eV(AlN)范围内连续可调,对应波长可......
AlGaN是一种重要的宽带隙半导体材料,具有优异的材料性能。基于AlGaN的高频、高压、大功率器件在航天、核能、通信等领域有很大的......
III族氮化物半导体材料以其优异的特性正在发挥着越来越广泛的作用。以GaN基蓝光、绿光及深紫外LED为核心技术的半导体照明技术正......
近年来，由于蓝光和绿光氮化镓基发光二极管（GaN基LED）具有发光效率高、节能、寿命长、尺寸小和污染小，极大地激起了人们将之应用于背光......
近年来，紫外探测技术在制导、预警、生化等方面得到了广泛的应用。AlGaN材料属直接带隙半导体材料，截止波长可调，覆盖200~365nm波段，化......
学位
利用有机金属化学气相沉积(MOCVD)的方法,在高质量的铝氮(AlN)模板和铝氮/铝镓氮超晶格(AlN/AlGaN SLs)上,通过改变[TMA/(TMa+TMG)......
本论文针对当前薄膜型场发射冷阴极研究的热点问题——如何提高场发射电流密度并降低阈值电压,分别从厚度、表面以及结构调制的角......
紫外探测有许多的应用领域，如火焰探测，导弹羽烟追踪，天际紫外通信等。AlGaN是直接带隙半导体，其禁带宽度在3.4eV至6.2eV间可调，对应吸......
光电探测在紫外波长范围的研究引起了人们广泛的关注。随着科技的发展,紫外探测技术得到的广泛的应用,军事上,紫外探测技术可广泛......
高电子迁移率晶体管被公认为微波/毫米波器件和电路领域中最有竞争力的三端器件,它不仅具有优异的低噪声特性,而且具有出色的功率......
得益于GaN材料优越的电学特性,GaN基元器件能够实现传统Si基器件难以企及的高击穿电场、高输出功率密度和低开关功率损失,其应用领......
