利用变温吸收谱(11-300 K)对非故意掺杂液相外延Hgl-xcdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(＜70K)出现的约7-20 meV反常移动现象进行了......

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文章介绍了基于第一性原理的LAPW方法就Hg空位缺陷对碲镉汞材料的电子结构的影响进行了研究.首先选择Hg0.5Cd0.5Te体系详细分析了H......