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沟道技术相关论文

离子注入SiC的射程分布及损伤的研究

本文利用卢瑟福背散射/沟道技术(RBS/C)对稀土族元素铒离子和钕离子注入SiC晶体和Si晶体中的射程分布和损伤分布及退火行为进行了......

学位

离子注入 SiC晶体卢瑟福背散射沟道技术射程分布损伤分布退火行为

通过硅再设计来解决棚泄漏问题

通过采用能带工程技术来再设计基本的硅沟道技术。一种新型的硅上硅（silicon-on-silicon）工艺能够大幅降低标准CMOS工艺中的栅泄漏，而......

期刊

泄漏问题再设计 CMOS工艺硅沟道技术工程技术制造流程新材料

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