沟道技术相关论文
该文报道了沟道离子束合成法研制稀土硅化物的实验新进展－－合成了高结晶品质的ＹＳｉ〈，１．７〉及其三元稀土硅化物Ｎｄ〈，０．３２〉Ｙ〈，０．６８〉Ｓｉ〈，１．７〉，并用背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ）技......
利用荷电粒子活化分析和沟道技术相结合,通过测定从〈100〉、〈110〉及随机方向入射的氘束由~(10)B(d,n)~(11)C而产生的~(11)C的放......
在大规模集成电路发展过程中,随着集成度的不断提高,要求电路的线条不断变细,等离子、离子束及反应离子刻蚀等加工工艺将起着重要......
利用离子束背散射沟道技术分析测量了室温条件下轻元素杂质掺入Si:Er系统后,对铒在硅中微观结构的影响.初步结果显示,轻元素氧的掺......
用RBS结合沟道技术对Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格材料的组分和形变进行了分析。实验结果与样品生长参数记录及理论计算值符合得很好......
用离子束合成法先后在Si(100)衬底中形成了连续的SiO_2及CoSi_2埋层,从而形成了复合的Si/CoSi_2/Si/SiO_2/Si(100)结构。卢瑟福背......
IR38xx是SuplRBuck负载点（POL）稳压器系列，将基准HEXFETR沟道技术MOSFET及一个高效能同步降压控制IC集成到5mm×6mm小型功率方形......
采用MOCVD技术在Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InGaN薄膜，以卢瑟福背散射／沟道（RBS／Channeling)技术和光致发光（PL）技术和InxCa1-xN/GaN/Al......
Vishay推出一款低导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFETSiB457EDK。新型SiB457EDK采用了TrenchFETGenⅢP沟道技术，该技术利用自对准工......
Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFET SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70封装，具有最低导通电......
通过采用能带工程技术来再设计基本的硅沟道技术。一种新型的硅上硅（silicon-on-silicon）工艺能够大幅降低标准CMOS工艺中的栅泄漏，而......
利用荷电粒子活化分析和沟道技术相结合,通过测定从〈100〉、〈110〉及随机方向入射的氘束由~(10)B(d,n)~(11)C而产生的~(11)C的放......
