高电子迁移率晶体管(HEMT)相关论文
基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0～31.5 dB.通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电......
650 V应用等级的硅基GaN电力电子器件近年来发展迅速,有望广泛应用于消费类快速充电、无线通信等领域。本文对HEMT器件在高温、高......
提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolieally defin......
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高工作电压、大功率密度、高截止频率等特点,被广泛应用于微波射频领域.然而GaN材料内部......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关......
完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作.使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特性......
目前AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器表面修饰及分子识别元件固定需在金属或氧化物门电极上进行,针对金属或氧化物门......
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)因具有高输出功率密度、高工作频率、高工作温度等优良特性,在高频大功率等领域具有广泛应用前景。......
期刊
为提高太赫兹无线通信系统的传输距离,设计了带有高增益天线和波导输出光电二极管模块的光学发射器。分析了含有HEMT和不含HEMT的W......
本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,......
研究了不同条件下氧等离子体对GaN器件表面的影响。在合适的条件下，氧等离子体可以使A1GaN表面发生氧化，形成Al_2O_3薄氧化膜，提高肖......
基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型Ga......
期刊
利用泊松方程以及异质结能带理论，通过费米能级一二维电子气浓度的线性近似，推导了基于双异质结双平面掺杂的HEMT器件的电荷控制模型......
基于CREE公司生产的十条栅指AlGaN/GaN HEMT器件,利用热传导方程,研究了AlGaN/GaN HEMT器件热阻随热源尺寸的变化规律及影响机理,......
针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)沟道温度过高导致器件性能下降的问题,提出一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构,通过优化沟......
本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用....
本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用....
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基于凹槽栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）研究了不同的栅槽刻蚀工艺对GaN器件性能的影响。在栅槽刻蚀方面,采用了一种感......
基于GaN功率器件工艺自主研发的大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,采用内匹配技术和宽带功率合成技术相结合的方法,研制出了......
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采用分子束外延设备（MBE）,外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、......
采用减小栅长的方法可以显著提高In P高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的直流和微波性能,并使器件的工作频率上升到太赫兹频段。分别......
期刊
介绍了一种基于天线优化的GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的高灵敏度室温太赫兹探测器。在太赫兹波辐射下,太赫兹天线可以高效......
提出了一种基于硅透镜集成的高灵敏度GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的太赫兹模组探测器。在太赫兹波辐照下,超半球硅透镜可以......
期刊
在0.8～1.1 THz内,对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器的响应度和噪声等效功率进行了具体测试和分析。在太赫兹波辐射......
介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件建模的噪声模型,Pucel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型。基于Pu......
期刊
介绍了一种基于GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的高速、高灵敏度室温太赫兹探测器。在太赫兹波辐射下,HEMT源漏端产生直流光电......
随着电子信息产业的发展和世界范围内对环境问题、能源问题的关注,电子信息系统需要器件能以更低的能耗、更小的体积、更快的速度......
将微电子器件与光电子器件集成在一起的光电集成电路(OEIC)同时具有光探测、接收与电信号逻辑控制的功能,并且尺寸小、性能高,因而......
研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA)。Doherty功率放大器......
介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力......
采用Si C衬底0.25μm Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款X波段Ga N单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)......
