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深紫外增强型硅光电探测器相关论文

六方氮化硼薄膜稳定性及其MSM型深紫外光电探测器的研究

六方氮化硼（hBN）,是一种人工合成的超宽禁带半导体材料,具有类石墨结构,俗称“白石墨”。其禁带宽度高达6.0 eV以上,本征吸收边约为2......

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宽禁带半导体六方氮化硼射频磁控溅射深紫外光电探测器深紫外增强型硅光电探测器

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