深紫外光电探测器相关论文
近年来,宽禁带半导体材料的相关研究如火如荼。其中,氮化铝（AlN）是典型的超宽禁带半导体材料,其禁带宽度高达6.2 eV。作为直接带隙半......
近年来,六方氮化硼（h-BN）因其优异的物理和化学性质吸引了许多物理工作者的目光。关于高质量薄膜材料的生长和性能开发的实验和理论......
深紫外探测技术是继红外和激光探测技术之后兴起的另一种光电探测技术,可应用于导弹制导/预警、光通信、燃烧工程、环境污染监测和......
肖特基势垒二极管是基于金属-半导体接触的单极整流器件,其开启电压较低。由于肖特基二极管中少子的电荷存储效应甚微,其反向恢复......
六方氮化硼（hBN）,是一种人工合成的超宽禁带半导体材料,具有类石墨结构,俗称“白石墨”。其禁带宽度高达6.0 eV以上,本征吸收边约为2......
六方氮化硼是一种典型的宽禁带III-V族化合物半导体,它的禁带宽度达到5.97eV,且其具有压电效应以及良好的紫外吸收特性,同时它有高......
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