在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节.蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由......

在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,......

介绍一种具备深背部通孔特点的砷化镓无源器件制作的芯片滤波器,并对其射频特性进行了进一步的讨论。在背部通孔深度达到200μm且......