该论文对SOI（Silicon on Insulator）应变SiGe沟道BiCMOS器件及应用电路进行了模拟和实验研究.SOI部分耗尽MOSFET相对于体硅MOSFET而......

在常规混合模式晶体管的基础上 ,提出了一种新的器件结构—— Si- Ge异质结基区 Bi-MOS混合模式晶体管 ( BMHMT)。由于基区采用禁......

在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合......

在常规混合模式晶体管的基础上，提出了一种新的器件结构－Ｓｉ－Ｇｅ异质结基区Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）。由于基区采用禁带宽度较窄的Ｓｉ－Ｇｅ合金材料，引起空穴向......

提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGe SOI BMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流......

本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路。理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近......

在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件－Si-Ge异质基区混合模式晶体管，由于基区采用禁带宽度较窄的Si-Ge合金材料，引起空......